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离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征
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作者 王文武 谢二庆 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期233-236,共4页
将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .... 将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .真空下的红外光辐照处理促使YSi2 择优取向生长 ,埋层中Si与Y的平均原子浓度比由2 4下降为 2 0 ,与六方YSi2 的化学计量比一致 .还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱 . 展开更多
关键词 离子束合成 钇硅化物 离子注入 红外光辐照处理 特征红外光 大规模集成电路
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