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红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
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作者 付军 栾洪发 +2 位作者 田立林 钱佩信 周均铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期603-608,共6页
在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度... 在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度都不超过800℃．直流特性的测量结果表明，与普通Si沟道器件相比，GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高．而且，这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力． 展开更多
关键词 红外区熔再结晶 SOI材料 表面沟道 半导体
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