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铜基红外线吸收膜层常用制备技术的研究现状及发展方向
1
作者
李雪
裴和中
+1 位作者
张国亮
黄攀
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期42-44,1,共3页
红外线吸收膜层多采用基体黑化处理获得。在铜基黑化膜层的制备工艺中,常温黑化已基本取代了传统的高温碱煮黑化。综述了铜基黑化的发展现状,重点介绍了常温黑化中的硒铜系发黑、氧化发黑及表面涂覆涂料发黑工艺,并对黑化工艺的发展前...
红外线吸收膜层多采用基体黑化处理获得。在铜基黑化膜层的制备工艺中,常温黑化已基本取代了传统的高温碱煮黑化。综述了铜基黑化的发展现状,重点介绍了常温黑化中的硒铜系发黑、氧化发黑及表面涂覆涂料发黑工艺,并对黑化工艺的发展前景进行了展望。
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关键词
红外
线
吸收
膜
层
铜基
常温黑化
硒铜系发黑
氧化发黑
表面涂覆涂料发黑
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职称材料
光纤面阵可见光吸收/红外辐射性能实验研究
被引量:
3
2
作者
钱丽勋
韩介平
+1 位作者
李卓
范增明
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期949-951,共3页
介绍了一种用于红外动态场景生成的新型可见光/红外图像转换器芯片.采用离子刻蚀工艺制作芯片的吸收辐射膜,其可见光波段吸收率可以达到98.5%以上,3~5μm波段的红外发射率可以达到0.73,8~12μm波段的发射率达到0.82.测试证明,此吸收...
介绍了一种用于红外动态场景生成的新型可见光/红外图像转换器芯片.采用离子刻蚀工艺制作芯片的吸收辐射膜,其可见光波段吸收率可以达到98.5%以上,3~5μm波段的红外发射率可以达到0.73,8~12μm波段的发射率达到0.82.测试证明,此吸收辐射膜完全满足红外图像转换芯片的应用要求.
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关键词
可见光/
红外
图像转换
可见光
吸收
/
红外
辐射
膜
吸收
率
发射率
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职称材料
混合式非致冷焦平面器件芯片工艺研究
被引量:
6
3
作者
黄承彩
《应用光学》
CAS
CSCD
1999年第2期10-17,共8页
随着红外热成像应用技术的不断发展,国内外研究和开发低成本非致冷热像仪的兴趣越来越浓。而开发非致冷热像仪的关键技术在于开发其核心部件非致冷焦平面器件。本文对致冷型焦平面器件和非致冷型焦平面器件进行简单的比较,简要报导国...
随着红外热成像应用技术的不断发展,国内外研究和开发低成本非致冷热像仪的兴趣越来越浓。而开发非致冷热像仪的关键技术在于开发其核心部件非致冷焦平面器件。本文对致冷型焦平面器件和非致冷型焦平面器件进行简单的比较,简要报导国内外非致冷焦平面器件的发展状况、规模、目前达到的水平及其应用,着重叙述混合式128×128非致冷焦平面器件芯片的研制工艺。
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关键词
混合式
非致冷
焦平面器件
红外吸收膜
芯片
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职称材料
题名
铜基红外线吸收膜层常用制备技术的研究现状及发展方向
1
作者
李雪
裴和中
张国亮
黄攀
机构
昆明理工大学材料科学与工程学院
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期42-44,1,共3页
文摘
红外线吸收膜层多采用基体黑化处理获得。在铜基黑化膜层的制备工艺中,常温黑化已基本取代了传统的高温碱煮黑化。综述了铜基黑化的发展现状,重点介绍了常温黑化中的硒铜系发黑、氧化发黑及表面涂覆涂料发黑工艺,并对黑化工艺的发展前景进行了展望。
关键词
红外
线
吸收
膜
层
铜基
常温黑化
硒铜系发黑
氧化发黑
表面涂覆涂料发黑
Keywords
infrared absorption coating
Cu substrate
room temperature blackening
Se-Cu system blackening
oxidation blackening
blackening of surface coating
分类号
TG177 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
光纤面阵可见光吸收/红外辐射性能实验研究
被引量:
3
2
作者
钱丽勋
韩介平
李卓
范增明
机构
北京理工大学光电学院
北京金盛微纳科技有限公司
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期949-951,共3页
文摘
介绍了一种用于红外动态场景生成的新型可见光/红外图像转换器芯片.采用离子刻蚀工艺制作芯片的吸收辐射膜,其可见光波段吸收率可以达到98.5%以上,3~5μm波段的红外发射率可以达到0.73,8~12μm波段的发射率达到0.82.测试证明,此吸收辐射膜完全满足红外图像转换芯片的应用要求.
关键词
可见光/
红外
图像转换
可见光
吸收
/
红外
辐射
膜
吸收
率
发射率
Keywords
visible/infrared image converter
film of visible light absorption and infrared radiation
absorption rate
emissivity
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
混合式非致冷焦平面器件芯片工艺研究
被引量:
6
3
作者
黄承彩
机构
昆明物理研究所
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1999年第2期10-17,共8页
文摘
随着红外热成像应用技术的不断发展,国内外研究和开发低成本非致冷热像仪的兴趣越来越浓。而开发非致冷热像仪的关键技术在于开发其核心部件非致冷焦平面器件。本文对致冷型焦平面器件和非致冷型焦平面器件进行简单的比较,简要报导国内外非致冷焦平面器件的发展状况、规模、目前达到的水平及其应用,着重叙述混合式128×128非致冷焦平面器件芯片的研制工艺。
关键词
混合式
非致冷
焦平面器件
红外吸收膜
芯片
Keywords
hybrid uncooled focal plane device, BST material, IR absorption film, gridding technique
分类号
TN214.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜基红外线吸收膜层常用制备技术的研究现状及发展方向
李雪
裴和中
张国亮
黄攀
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
光纤面阵可见光吸收/红外辐射性能实验研究
钱丽勋
韩介平
李卓
范增明
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
下载PDF
职称材料
3
混合式非致冷焦平面器件芯片工艺研究
黄承彩
《应用光学》
CAS
CSCD
1999
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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