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用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
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作者 何苗 易新建 +2 位作者 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期321-324,共4页
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦... 提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过 2 0 0μm的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合 。 展开更多
关键词 GAAS 离子束刻蚀 组合器件 红外焦平面阵列器件 响应特性 砷化镓 微透镜阵列器件 曲率补偿
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红外焦平面器件读出电路技术 被引量:8
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作者 甘文祥 《红外》 CAS 2003年第9期1-8,共8页
本文是一篇关于红外焦平面阵列器件的综述性文章。主要介绍了红外焦平面阵列器件的分类、定义、应用、组成部分、发展趋势,其中重点对红外焦平面器件读出电路技术作了详尽的论述。
关键词 红外焦平面阵列器件 读出电路技术 红外探测器 电路设计 红外平面成像
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红外技术与器件
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《中国光学》 EI CAS 2002年第3期79-83,共5页
TN213 2002032171碲镉汞材料制备及其评价=Preparation of mercurycadmium telluride and its evolution[刊,中]/吴俊,何力(中科院上海技物所.上海(200083))//红外.-2001,(7).-1-8叙述了碲镉汞材料的发展,材料的制备。对碲镉汞材料进行... TN213 2002032171碲镉汞材料制备及其评价=Preparation of mercurycadmium telluride and its evolution[刊,中]/吴俊,何力(中科院上海技物所.上海(200083))//红外.-2001,(7).-1-8叙述了碲镉汞材料的发展,材料的制备。对碲镉汞材料进行了评价。认为在材料科技体系中,材料的制备很重要。但其评价体系、包括仪器和方法的作用是不容忽视的,它不仅直接决定材料的发展水平,而且其自身已构成研究领域,成为材料科技的主要组成部分。 展开更多
关键词 红外图像 红外焦平面阵列器件 热释电红外传感器 微透镜阵列 激光辐照 红外热像仪 毫米波 红外平面探测器 红外隐身材料 发展水平
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长波红外碲镉汞探测器 被引量:2
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作者 梁晋穗 《红外》 CAS 2003年第6期1-8,共8页
1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的.
关键词 长波红外碲镉汞探测器 红外辐射 红外焦平面阵列器件 红外探测器 光电探测器
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