红外非线性材料ZnGeP_2的研究(Ⅰ)——多晶料的合成

本文报告了红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２多晶料的合成方法。该法是以元素态的磷、锗，锌为原料，通过直接化合的方法进行合成。合成的多晶料经比重测量和Ｘ射线粉末衍射测试证明与标准值一致。该法为ＺｎＧｅＰ２晶体生长的研究奠定了基础。

一种新的红外非线性光学晶体材料-K_3V_5O_(14)(英文)

作为红外非线性光学材料 ,氧化物和磷铜铁矿半导体材料的透过光谱可到中远红外谱区 ,但它们的晶体损伤阈值很低。本文提出并合成一种新的红外非线性光学材料五钒酸钾 -K3 V5O14 ,它的空间群是P31m ,透过光谱范围可达到 10 μm ,而且其粉末倍频效应大于KDP晶体的 2 0倍。

福建物构所中远红外非线性光学材料复合功能化研究获进展

中科院福建物质结构研究所陈玲课题组在中远红外二阶NLO材料设计与合成研究方面取得了系列突破，提出了非线性功能基团组装、离子基团调控、非线性功能基团的不对称控制设计的学术思想，获得了系列新颖、高效的中远红外二阶NLO材料，提出“基于化学取代柔性实现红外非线性光学材料的多功能复合化”创新学术思想（上Am．Chem．Soc．，2013，DOI：10．1021／ja4074084）。

新的非线性红外材料

关于非线性红外材料的研究与开发终于有了成果.人们获得了更多的红外辐射源(其波长可从中波红外一直到10μm以上的长波红外)并且开拓了新的应用.

新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。

对红外非线光学材料硫镓银(AgGaS_2)晶体形貌的观察研究

用改进的Bridgman法 ,生长出了 1 5mm× 2 0mm的红外非线性光学晶体硫镓银 .采用蚀象法 ,观察了该晶体腐蚀条纹 ,其结果与现有报道结果一致 .通过实验 ,观察到了规则整齐的蚀坑 ,并对其内部形貌进行了初步研究 .

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的生长温场研究

采用B-S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体解理面进行X射线衍射分析得到(101)面,表明生长出的AgGa1-xInxSe2晶体结构完整,所设计的温场适合于AgGa1-xInxSe2单晶生长.

AgGaS_2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min,镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少。