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一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计
被引量:
3
1
作者
王磊
余宁梅
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期101-104,共4页
从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作...
从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作,用Hspice软件对电路进行了模拟。结果表明,该电路的正向功率增益为15.67 dB,NF为2.88 dB,IIP3为-0.21 dBm,功耗为25.79 mW。
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关键词
CMOS
低噪声放大器
级间匹配网络
片上螺旋电感
噪声系数
下载PDF
职称材料
题名
一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计
被引量:
3
1
作者
王磊
余宁梅
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期101-104,共4页
基金
日本OKI公司资助项目
文摘
从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作,用Hspice软件对电路进行了模拟。结果表明,该电路的正向功率增益为15.67 dB,NF为2.88 dB,IIP3为-0.21 dBm,功耗为25.79 mW。
关键词
CMOS
低噪声放大器
级间匹配网络
片上螺旋电感
噪声系数
Keywords
CMOS
Low noise amplifier
Inter-stage matching network
On-chip spiral inductor
Noise figure
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计
王磊
余宁梅
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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