静电纺丝制备甚低介电常数聚酰亚胺/纯硅沸石复合纤维膜

采用静电纺丝技术制备聚酰亚胺(PI)纤维膜,并通过考察纺丝条件对PI纤维形貌的影响确定制备PI纤维膜的合适条件。在此基础上,将3-氨丙基三乙氧基硅烷表面改性纯硅沸石纳米晶(A-PSZN)引入聚酰胺酸(PAA),通过静电纺丝及热酰亚胺化处理制备PI/A-PSZN复合纤维膜,并对纤维膜的介电常数和力学性能进行详细研究。研究结果表明制备形貌规整的PI纤维的合适条件为:PAA溶液固含量为15%(wt),外加电压为15 k V,接收距离为15 cm;在1 MHz测试频率下PI纤维膜的介电常数为1.61,尽管添加A-PSZN并未对纤维膜的介电常数带来明显影响,但是有利于提高纤维膜的力学性能,PI/7%(wt)A-PSZN杂化纤维膜的杨氏模量和拉伸强度分别由基体的0.15 GPa和29.4 MPa提高至0.584 GPa和41.3 MPa。

不同方法制备聚酰亚胺/纯硅沸石复合材料的性能对比

文章将纯硅沸石纳米晶(PSZN)与聚酰亚胺(PI)前驱体混合,经旋涂及静电纺丝制备了两种复合膜,并对材料的介电常数及力学性能进行研究与对比。研究结果表明,PI/PSZN复合纤维膜的介电常数约为1.60,而旋涂法制备的复合膜介电常数最低仅为3.11;复合材料的杨氏模量随着PSZN添加量的增加而提高,PI/5 wt%PSZN复合膜和PI/7 wt%PSZN复合纤维膜拉伸强度分别比相应基体增加了19.1 MPa和11.9 MPa。

纯硅沸石纳米晶的表面改性研究

通过水热法合成纯硅沸石纳米晶(PSZN),经KH550表面改性制备相应氨基改性物(AP-SZN),并通过红外光谱仪、动态光散射仪、扫描电镜、X射线粉末衍射仪、比表面仪及热失重分析仪对样品结构进行表征分析.实验结果显示,通过KH550表面改性处理,氨丙基被成功引入纳米颗粒表面,且未改变样品特性,PSZN和APSZN具有相似的微观形貌、结晶度和微孔特性,而通过热失重测试及分析计算可知KH550真实接枝率为3.08%.

纯硅沸石纳米晶的制备研究

以正硅酸乙酯(TEOS)和四丁基氢氧化铵(TBAOH)为原料,经室温搅拌预水解后通过在晶化釜中水热晶化合成MEL型纯硅沸石纳米晶(PSZN),并探讨分析反应条件对PSZN微观形貌的影响规律。研究结果表明,PSZN平均粒径、粒径分布及形貌与合成液中n(TBAOH)∶n(TEOS)、n(H2O)∶n(TEOS)和晶化温度密切相关。在本研究中,制备具有均匀粒径及规整形貌PSZN的合适方法是将1TEOS/0.3TBAOH/20H2O合成液密封预水解,在110℃下晶化24 h。

干法合成纯硅丝光沸石

在Ｎａ２ＯＳｉＯ２ＥＡ（乙醇胺）体系中利用干法首次成功地合成了纯硅丝光沸石，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ及ＩＲ等仪器分析方法对产物的结构、形貌、红外骨架振动及稳定性等进行了表征。实验结果表明，干法合成的纯硅丝光沸石具有良好的耐酸性；与水热体系合成的丝光沸石相比，干法得到的丝光沸石的晶胞体积出现较明显的收缩趋势。