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题名化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
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作者
朱大鹏
王立春
胡永达
罗乐
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机构
中科院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期40-43,共4页
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文摘
采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。
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关键词
半导体技术
化学镀NI-P
纯锡凸点
高温回流
Ni3sn4金属间化合物
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Keywords
semiconductor technology
electroless Ni-P
tin bump
high temperature reflow
Ni3Sn4 interme-tallic
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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