镉基体分离及纯镉中杂质成分的ICP-MS法测定

研究了用阴离子交换树脂分离纯镉中铜、锌、铅、铁的条件 ,所得优化分离条件为 :71 7型阴离子交换树脂柱 ,样品溶液为 2mol/LHCl溶液 ;三段淋洗液依次为 2mol/LHCl溶液、0 .2mol/LHBr+ 0 .2 5mol/LHNO3的混合酸溶液及 3mol/LHNO3溶液。经ICP MS测定证明 ,95 %以上的镉得到分离 ,95 %以上的铜、锌、铅、铁可以分离测定 ,有效地降低了ICP MS测定纯镉中铜、锌、铅、铁时镉基体的干扰。

电感耦合等离子体直接测定纯镉中杂质元素方法研究

建立了利用ICP-AES准确、快速、直接测定纯镉中Pb、Zn、Fe、Cu、Sn、Tl、Sb、As、Ag、Ni等10种杂质元素的分析方法,优化了ICP-AES的分析条件,采用标准基体匹配的方法消除基体效应。结果表明:Pb、Zn、Fe、Cu、Sn、Tl、Sb、As、Ag、Ni等十种杂质元素在0.05μg/ml～1.0μg/ml范围内有良好的均线性关系,相关系数均大于0.999;各元素的检出限在0.0009μg/ml～0.0084μg/ml之间;相对标准偏差RSD<4.80%;回收率在93.68%～104.41%之间。本方法能满足工业化生产纯镉中微量杂质元素快速分析的要求。

高镉锌真空蒸馏分离锌镉的研究

对高镉锌真空蒸馏分离锌、镉进行了理论分析和实验研究,考察了蒸馏温度、保温时间对锌、镉分离效果的影响。理论研究表明:在真空条件下高镉锌中的锌与镉具有分离的可能性。实验结果表明:提高蒸馏温度和延长保温时间,都有利于提高金属镉的直收率,但均会降低挥发物中镉的纯度;当系统压力保持在30 Pa时,蒸馏温度为400℃,保温时间为60 min条件下,挥发物中的镉纯度为96.5%,镉直收率为60.1%,残余物中锌纯度为87.42%;并在实验研究结果中验证了多次蒸馏可提高挥发物中镉的纯度,三次蒸馏挥发物中的镉纯度可达99.99%。此工艺为真空蒸馏分离高镉锌中锌与镉提供新的方法,对采用真空蒸馏法处理高镉锌具有一定的指导意义和应用价值。

CdTe Films Deposited by Closed-space Sublimation

CdTe films are prepared by closed-space sublimation technology. Dependence of film crystalline on substrate materials and substrate temperature is investigated. It is found that films exhibit higher crystallinity at substrate temperature higher than 400 ℃. And the CdTe films deposited on CdS films with higher crystallinity have bigger crystallite and higher uniformity. Treatment with CdCl 2 methanol solution promotes the crystallite growth of CdTe films during annealing.