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基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置
1
作者
孟国栋
董承业
+1 位作者
门闯
成永红
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2016年第6期526-532,共7页
纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛...
纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛的应用;另一方面,传统的放电击穿理论和绝缘性能评价方法无法用来解释和预估微纳尺度的放电特性和绝缘水平。因此,本文基于聚焦离子束和扫描电子显微镜(FIB-SEM)双束系统,借助纳米压电位移技术和微弱电流测量技术,建立了纳尺度真空间隙电学特性的原位研究系统。该系统不仅能够进行微纳尺度(曲率半径为15 nm^10μm)金属电极的原位加工,材料组成成分的定量分析,而且可以实现纳尺度真空间隙(>20 nm)的放电特性研究,为纳尺度击穿规律和绝缘特性的实验研究提供了有力的支撑。
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关键词
FIB-SEM双束系统
纳尺度真空间隙
电气击穿
原位研究
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职称材料
题名
基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置
1
作者
孟国栋
董承业
门闯
成永红
机构
西安交通大学电气工程学院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2016年第6期526-532,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.51607138)
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费(No.SKLIPR.1512)
文摘
纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛的应用;另一方面,传统的放电击穿理论和绝缘性能评价方法无法用来解释和预估微纳尺度的放电特性和绝缘水平。因此,本文基于聚焦离子束和扫描电子显微镜(FIB-SEM)双束系统,借助纳米压电位移技术和微弱电流测量技术,建立了纳尺度真空间隙电学特性的原位研究系统。该系统不仅能够进行微纳尺度(曲率半径为15 nm^10μm)金属电极的原位加工,材料组成成分的定量分析,而且可以实现纳尺度真空间隙(>20 nm)的放电特性研究,为纳尺度击穿规律和绝缘特性的实验研究提供了有力的支撑。
关键词
FIB-SEM双束系统
纳尺度真空间隙
电气击穿
原位研究
Keywords
FIB-SEM dual-beam system
nanoscale vacuum gap
electrical breakdown
in situ experimental study
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置
孟国栋
董承业
门闯
成永红
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2016
0
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职称材料
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