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PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究
被引量:
2
1
作者
刘玉芬
郜小勇
+2 位作者
刘绪伟
赵剑涛
卢景霄
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期332-336,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结...
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH3浓度的增大而单调增大。该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释。
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关键词
纳晶硅
薄膜
晶化率
电导率
晶格畸变
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职称材料
氧化纳晶硅的光致荧光(英文)
2
作者
张荣涛
侯丽梅
+1 位作者
王晓允
于示强
《贵州大学学报(自然科学版)》
2009年第1期27-30,共4页
观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现...
观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。
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关键词
界面态
受激辐射
纳晶硅
氧化结构
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职称材料
氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响
3
作者
蔡成兰
刘家兴
+1 位作者
苏琴
陈汉琼
《荆楚理工学院学报》
2011年第7期56-59,共4页
基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明:当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时,有效能隙明显展宽;纳晶硅表面部...
基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明:当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时,有效能隙明显展宽;纳晶硅表面部分被氧钝化以后,原本干净的禁带中出现电子局域态。计算结果表明纳晶硅薄膜受激辐射主要由量子受限效应和能隙中的电子局域态决定。
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关键词
纳晶硅
第一性原理
量子受限
电子局域态
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职称材料
硅基上低维结构的受激发光
4
作者
张荣涛
王海旭
+1 位作者
秦朝建
刘世荣
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008年第5期520-522,527,共4页
用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之...
用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用。
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关键词
受激辐射
纳晶硅
氧化结构
陷阱态
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职称材料
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
被引量:
5
5
作者
黄香平
肖金泉
+4 位作者
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期178-182,共5页
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及...
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。
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关键词
纳晶硅
悬挂键密度
电子自旋共振
RAMAN光谱
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职称材料
题名
PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究
被引量:
2
1
作者
刘玉芬
郜小勇
刘绪伟
赵剑涛
卢景霄
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期332-336,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)(No.2006CB202601)
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH3浓度的增大而单调增大。该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释。
关键词
纳晶硅
薄膜
晶化率
电导率
晶格畸变
Keywords
nc-Si : H film
crystalline volume fraction
electrical conductivity
lattice strain
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
氧化纳晶硅的光致荧光(英文)
2
作者
张荣涛
侯丽梅
王晓允
于示强
机构
贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室
山东省莱芜市第
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2009年第1期27-30,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10764002)~~
文摘
观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。
关键词
界面态
受激辐射
纳晶硅
氧化结构
Keywords
interface states
stimulated emission
oxide structure of silicon
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响
3
作者
蔡成兰
刘家兴
苏琴
陈汉琼
机构
贵州大学理学院
出处
《荆楚理工学院学报》
2011年第7期56-59,共4页
文摘
基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明:当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时,有效能隙明显展宽;纳晶硅表面部分被氧钝化以后,原本干净的禁带中出现电子局域态。计算结果表明纳晶硅薄膜受激辐射主要由量子受限效应和能隙中的电子局域态决定。
关键词
纳晶硅
第一性原理
量子受限
电子局域态
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
硅基上低维结构的受激发光
4
作者
张荣涛
王海旭
秦朝建
刘世荣
机构
贵州省光电子技术与应用重点实验室
中国科学研究院地化所
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008年第5期520-522,527,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10764002)
贵州省研究生创新基金资助项目(省研理2007001)
文摘
用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用。
关键词
受激辐射
纳晶硅
氧化结构
陷阱态
Keywords
Stimulated emission, Oxide structure of silicon, Trap States
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
被引量:
5
5
作者
黄香平
肖金泉
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
机构
中南大学物理科学与技术学院
中国科学院金属研究所
武汉华硅太阳能科技有限责任公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期178-182,共5页
基金
国家自然科学基金委工程与材料学部青年基金(KFJJ200902)
电子薄膜与集成器件国家重点实室开放课题
文摘
在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。
关键词
纳晶硅
悬挂键密度
电子自旋共振
RAMAN光谱
Keywords
nc-Si
Dangling-bond density
ESR
Raman spectrum
分类号
O474 [理学—半导体物理]
O766 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究
刘玉芬
郜小勇
刘绪伟
赵剑涛
卢景霄
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
2
氧化纳晶硅的光致荧光(英文)
张荣涛
侯丽梅
王晓允
于示强
《贵州大学学报(自然科学版)》
2009
0
下载PDF
职称材料
3
氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响
蔡成兰
刘家兴
苏琴
陈汉琼
《荆楚理工学院学报》
2011
0
下载PDF
职称材料
4
硅基上低维结构的受激发光
张荣涛
王海旭
秦朝建
刘世荣
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008
0
下载PDF
职称材料
5
气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
黄香平
肖金泉
邓宏贵
杜昊
闻火
黄荣芳
闻立时
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
下载PDF
职称材料
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