氧化纳晶硅的光致荧光(英文)

观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。

硅基上低维结构的受激发光

用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用。