纳流体忆阻器数学建模及仿真

本文对纳流体忆阻器进行详细建模,计算出不同浓度条件下纳米沟道表面的电荷密度。通过设置纳米沟道中边界条件,计算在电压脉冲条件下,沟道中界面移动的速率和位移以及每一个脉冲条件下纳米沟道的变化。同时将计算模型结果和实验结果进行对比,发现两者结果非常匹配,为纳流体忆阻器的突触行为提供数学支撑。

纳流体忆阻器在神经网络应用中电学测试

本文首先仿照电化学领域的方法搭建测试平台,使用传统测试忆阻器的方法对纳流体忆阻器进行电学测试,获得I-V特性曲线,脉冲响应曲线和器件保持特性曲线。然后使用荧光显微镜和电学测试设备搭建一套基于时间关系的电学驱动荧光显微平台,通过实时监测荧光在纳米沟道中的变化,验证了纳流体忆阻器界面移动的推测。