基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件

为了提高顶发射OELD的效率,降低电压,基于纳秒激光刻蚀技术制备了一种用于顶发射OLED的低成本可重复的方形微结构阵列基板,在此基础上制备了顶发射OLED器件。实验发现,利用这种基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驱动电压。其中,使用20μm的方格微结构阵列基板的器件的最高效率达到66.7cd/A,40mA/cm^2下亮度达到20 103cd/m^2,相比于未经刻蚀的无结构器件分别提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微结构阵列基板的器件驱动电压最低,在40mA/cm^2下为9.58V,相较未经刻蚀的无结构器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驱动电压的降低主要有两点原因:首先由于基于微结构阵列基板制备的器件中存在褶皱结构,可以破坏器件的光波导,并且增大了器件面积而降低驱动电压;其次纳秒激光刻蚀产生的光栅条纹可以提高光提取效率,同时增强局部电场以提高电极的载流子注入能力。

纳秒激光制备超疏水超亲油泡沫铜研究

采用纳秒激光一步刻蚀法在泡沫铜上构造了超疏水超亲油表面,并研究了激光加工参数对表面浸润性的影响。分别利用扫描电子显微镜、能谱仪、接触角测量仪对表面形貌、元素、浸润性进行表征,结果表明:泡沫铜表面的粗糙结构会随着激光扫描速度、激光功率、扫描间距的变化而发生显著变化;激光刻蚀后,表面的化学成分也发生了变化,微纳粗糙结构及元素变化的共同作用使泡沫铜获得了超疏水超亲油性,其在空气中的最大水接触角为157.4°,油接触角为0°,对油、水表现出了良好的选择性。制备的特殊浸润性表面可用于油回收,为油水分离及油回收提供了一定参考。