纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子

基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模.声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态.

微结构及温度耦合下的微通道纳米气泡滑移效应

通过分子动力学(MD)模拟研究纳米气泡的成核,以探究微结构耦合温度因素在仅由简单伦纳德·琼斯流体组成的三元(固体,液体,气体)系统中起到的作用。首先该模型揭示了静态流体中温度耦合结构影响下,纳米气泡的成核特征,其次研究了纳米气泡在动态滑移起到的作用。结果显示:首先温度对纳米气泡的成核以及高度具有显著影响,一定程度增加系统温度,促进了纳米气泡成核,然后高于一定温度时成核受到限制,同时纳米气泡高度随温度的增加而降低。其次纳米凹槽尺寸以及相对位置改变对于气泡成核具有重要意义。保持系统温度不变以及凹槽相对位置不变,逐渐增加凹槽深度时,气体更容易在凹槽内聚集从而形成气泡,并且气泡高度会随之减小;当仅增加凹槽之间相对位置时,纳米气泡的覆盖范围会被拉长,相应地,纳米气泡高度也会随之减小;另外,由于纳米气泡的存在,纳米通道内流体流动性能以及界面滑移现象也会发生改变。