Fe催化生长β-SiC纳米分支结构

采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。

羟基氧化镓超分支纳米晶体的制备及生长机制

以无水氯化镓的苯饱和溶液和甲醇为初始原料,在反应釜中进行醇解反应,并采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）分析样品的形貌、成分和结构.结果表明：羟基氧化镓粉体为分散性良好的纳米刷,长度约为2~6μm;在超分支麦穗状羟基氧化镓纳米结构形成过程中,晶体劈裂生长机制起主导作用.