下一代实用光刻技术——纳米压印技术

详细介绍了纳米压印技术的应用前景,对目前各种纳米压印工艺进行归纳、分类。通过 对不同工艺过程的深入比较,分析了它们的优缺点,并展望了各自的应用前景。

紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究

研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000～4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。

纳米压印技术的最新进展

总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。

纳米压印技术及发展

微纳米加工技术作为一种典型的先进制造技术,通过压模的方法来实现纳米结构的批量复制,在小型甚至微型元器件、微型芯片及生物传感器的制造、批量化生产中具有不可取代的作用。纳米压印技术不仅具有较低的成本、较高的分辨率及生产效率,而且拥有良好的兼容性与继承性、制造工艺方便等特点。文章对纳米压印的三种常用技术进行了简述,同时列举了一些新型纳米压印的方法,还概括了纳米压印技术面临的挑战,并对该技术的研究现状及应用进行了综述。

纳米压印技术:32纳米光刻之选?

设想一下,如果能够一步实现低介电常数绝缘材料的双大马士革结构(包括通孔和金属导线槽),就能减少123步的工艺步骤。这就是纳米压印技术所能够带来的惊人之处。此外,这项技术成本低廉、潜力无限。

纳米压印技术实用化可提升LED发光效率20-30％

纳米压印是指通过像盖章一样把刻着精细图案的模具按压到基板等的上面．大量转印该图案的技术。最近，该技术的实用化案例越来越多。用R2R方式量产LED用模具 采用纳米压印技术的精细图案形成技术有助于提高LED和有机EL等的发光效率。

MII带来纳米压印技术的革新

去年全球半导体光刻掩膜板市场已达到了30亿元规模,驱动这一市场成长的关键主要来自于先进技术持续进行微缩,传统的光学光刻技术将持续推动下一代光刻技术方案的推陈出新。相比起目前主流的浸没式光刻技术而言,下一代光刻技术可延伸至更细微的纳米制程节点,其中,作为下一代光刻技术候选者之一的纳米压印技术已经进入技术成熟期,并逐渐走向商业化,吸引了许多的热衷者。Molecular Imprints公司是半导体行业颇受关注的压印设备制造商,致力于提供硬盘驱动器领域和半导体领域的纳米压印光刻系统的解决方案,实现业界先进的存储磁盘驱动器和存储设备所需的精细功能。

纳米压印技术

1947年美国航空局和美国标准局发起了印制电路首次技术讨论会,当时列出了26种不同的印制电路制造方法,并归纳为六类：涂料法、喷涂法、化学沉积法、真空蒸发法、模压法和粉压法。当时这些方法都未能实现大规模工业化生产,上述的模压法可能就是今天论述的纳米压印技术。

纳米压印技术在LED器件制备中的应用

纳米压印技术(NIL)是一种机械制备纳米图形的微加工技术,它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时,它可以大面积制备高分辨率的纳米图形,使得大批量低成本地生产微纳器件成为可能。而固态照明工程目前是被全世界所关注的重要领域,制备出高效III-V化合物半导体发光二极管(LED)来代替现有的传统照明工具已经掀起了照明技术的革命,以实现高质量、绿色的照明。重点介绍了纳米压印技术的发展和工艺过程,并详细论述纳米压印技术在无机和有机LED制备中的应用,实现纳米结构LED以及表面光子晶体结构,从而提高LED的发光效率。

纳米压印光刻技术——下一代批量生产的光刻技术(英文)

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。

纳米压印加工技术发展综述

纳米技术是一项有望为 2 1世纪人类生活的各个方面带来革命的技术。纳米技术不是在一夜之间产生出来的 ;它是在业已发展多年的、为我们带来了微芯片和其它微米产品的基础上产生的。任何纳米技术均依赖通过纳米加工技术将物体加工至纳米尺度。许多具有 10 0纳米以下加工能力的技术已被开发出来。纳米压印技术就是其中的一项很有希望的技术 ;它具有低成本、高产量和高分辨率的特点。本文对纳米压印技术的发展进行了综述 ,描述了纳米压印的基本原理 ,然后对近年的新进展进行了介绍 ,并特别强调了纳米压印的产业化问题。我们希望这篇综述能够引起国内工业界和学术界的关注 ,并致力于在中国发展纳米压印技术。

用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶

纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE(buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240nm,深度约为82nm。实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏。

紫外纳米压印模板表面修饰工艺研究

研究紫外纳米压印技术的模板表面修饰工艺,对经过表面修饰的模板与未经修饰的模板得到的不同压印结果,通过大量实验进行对比分析,验证模板表面修饰工艺是有效控制压印结果,确保压印复型精度的关键。

用于有机发光器件和有机激光的纳米压印结构

在过去30年中,有机电致发光器件(Organic light-emitting devices,OLEDs)在显示和照明面板领域得到了快速的发展和应用。然而,固有的低光取出效率使OLEDs常需要集成光取出微纳结构。另一方面,有机半导体激光器(Organic semiconductor lasers,OSLs)由于具有发射光谱宽、制备简单、成本低和易于集成的优点也引起了广泛关注。同OLEDs需要集成微纳结构一样,在OSLs中也需要制备微纳结构用作谐振腔从而产生光增益来实现激射。在不同的微纳结构制备工艺中,纳米压印技术(Nanoimprint lithography,NIL)作为一种高分辨率、高产率和低成本的图案化技术,被认为是最有前景的技术之一。NIL不仅可以打破衍射极限和光散射的限制,而且可以保证有机光电材料的光学和电学性能不受损害。本文回顾了利用NIL在OLEDs制备结构化电极、结构化功能层和结构化封装层以及在OSLs中制备结构化染料掺杂聚合物以及结构化发光材料的方案。

热压印刻蚀技术

纳米压印技术是一种高分辨率、廉价、高效的纳米结构制备技术。它既继承了传统光刻技术所具有的并行性，又同时拥有传统光刻技术不易达到的纳米结构制备能力，这为今后纳米结构的广泛应用提供了良好的条件。文章介绍了纳米热压印技术中核心工艺流程，包括：模板的制备、抗粘层的制备、压印过程中温度与压力的影响、反应离子刻蚀，并且给出了利用纳米热压印技术制备的光栅结构，最后展望了纳米压印技术的前景。

紫外纳米压印抗蚀剂的研究进展

本文介绍了纳米压印技术的基本原理。总结了紫外纳米压印抗蚀剂的种类以及组分。具体包括丙烯酸酯体系、环氧树脂体系和乙烯基醚体系的配方组成及单体合成方法。比较了各个体系的优缺点。本文还分析了目前国内纳米压印抗蚀剂的研究现状并对其研究方向进行了分析与展望。

模具，纳米压印工艺的灵魂

本文对纳米压印技术的分类和工艺介绍非常详细，我们从字里行间发现，模具才是这种新技术发展的基础。因此，我们也可以这样讲——

热压印刻蚀技术

纳米压印刻蚀技术是通过压模的方法实现纳米结构批量复制的。这一技术具有高分辨、高效率和低成本的优点。它与现行的光学刻蚀技术流程相似,具有较好的兼容性与继承性。详细介绍了热压印刻蚀技术的核心工艺步骤:压印模板的制备、热压印胶的选择、压模和撤模、反应离子刻蚀以及热压印过程中的聚合物流动机理,探讨了热压印刻蚀技术中的基础科学问题。还分析了纳米压印刻蚀技术的研究现状,展望了纳米压印刻蚀技术的应用前景。

东芝机械采用纳米压印技提高LED的光提取效率

为了提高白色LED的光提取效率。需要在芯片内嵌入光学构造。东芝机械正在开发专用纳米压印设备，目前已确认采用纳米压印技术在LED芯片内嵌入光学构造时，可提高LED的光提取效率及内部量子，从而提高亮度。提高亮度的效果因LED种类不同而异。亮度较低的LED提高了5％左右，亮度较高的LED提高了1％左右。

纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展

据Molecular Imprints公司的首席执行官Mark Melliar-Smith所言,纳米压印技术明年将稳步跨入硬盘制造舞台,在几年之后达到CMOS高密度存储器工艺的极限。Molecular Imprints公司是一家压印工具的开发商和制造商。