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用于MEMS真空封装中的纳米吸气剂 被引量:3
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作者 陈松平 孙道恒 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期9-13,共5页
真空的获得和维持是目前MEMS真空封装技术中存在的主要难题之一。实验利用具有高比表面积和自身储气特性的碳纳米管(CNTs)作为骨架,制备一种能在高真空环境(<10-3Torr,分子状态)和低温(<400℃)下吸收活性气体的新型吸气剂——纳... 真空的获得和维持是目前MEMS真空封装技术中存在的主要难题之一。实验利用具有高比表面积和自身储气特性的碳纳米管(CNTs)作为骨架,制备一种能在高真空环境(<10-3Torr,分子状态)和低温(<400℃)下吸收活性气体的新型吸气剂——纳米吸气剂。与传统吸气剂意大利SAES公司的St175相比,在500℃下激活10min后,室温下,单位质量的纳米吸气剂吸气速率约是St175的1000倍;而带温(320℃)下测试,约是St175(750℃下激活10min后冷却至400℃下测试)的20倍。 展开更多
关键词 纳米 真空封装 纳米吸气剂
原文传递
用于MEMS封装的纳米多孔硅气敏特性分析
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作者 许高斌 杨业汕 +1 位作者 马渊明 陈兴 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第2期89-93,共5页
摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表... 摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表明,在不同的电流密度腐蚀下,孔径都在10nm左右;随着电流密度的增加,多孔硅的孔深和孔隙率增大且腐蚀的均匀性较好。当电流密度大于40mA/cm2后,腐蚀的均匀性开始变差,灵敏度波动较大。通过对多孔硅气体吸附灵敏度的分析,在电流密度为40mA/cm^2时,对各浓度的乙醇气体的灵敏度相对稳定,均值达到2.24X10^6kΩ,因此该类样品更适用于MEMS高真空封装的纳米吸气剂。 展开更多
关键词 多孔硅(PS) 纳米吸气剂 电化学腐蚀法 气敏特性 灵敏度
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