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自组装法制备聚合物纳米复合膜的新进展
被引量:
8
1
作者
刘之景
王克逸
+1 位作者
朱俊
张凯
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期50-52,共3页
介绍了自组装法制备聚合物纳米复合膜的几种最新技术 :化学吸附法、分子沉积法、旋涂法 .这些方法操作简单 ,膜的结构稳定性较高 ,利用它们可以制备各种功能化的聚合物纳米复合膜 ,从而实现薄膜的光、电、磁、非线性光学等的功能化 .由...
介绍了自组装法制备聚合物纳米复合膜的几种最新技术 :化学吸附法、分子沉积法、旋涂法 .这些方法操作简单 ,膜的结构稳定性较高 ,利用它们可以制备各种功能化的聚合物纳米复合膜 ,从而实现薄膜的光、电、磁、非线性光学等的功能化 .由此 ,这些方法受到国内外的广泛重视 .
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关键词
自组装法
制备
聚合物
纳米
复合
膜
进展
化学吸附法
分子沉积方法
旋涂法
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职称材料
碳纳米管聚合物复合膜的等离子刻蚀研究
被引量:
1
2
作者
杜招红
曾效舒
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1233-1236,共4页
本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了观测。结果表明电压为100 V,电流为0.52 A时可以有效地刻蚀掉在制备无衬底碳纳米管膜时附在其上的粘胶...
本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了观测。结果表明电压为100 V,电流为0.52 A时可以有效地刻蚀掉在制备无衬底碳纳米管膜时附在其上的粘胶剂和聚合物。且刻蚀前后碳纳米管复合膜的电阻有很大变化,从110.2Ω降至8.4Ω。
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关键词
等离子刻蚀
碳
纳米
管
聚合物
复合
膜
电阻
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职称材料
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
被引量:
1
3
作者
贺永宁
张雯
+4 位作者
崔吾元
崔万照
王东
朱长纯
侯洵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期361-364,共4页
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔...
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。
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关键词
氧化锌半导体
纳米
线/
聚合物
复合
膜
紫外带边发光砷化镓
氮化镓
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职称材料
可降低分离费用的反向选择性分子筛
4
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期66-66,共1页
关键词
分离
反向选择性
分子筛
降低费用
高渗透性
纳米
复合
材料
聚合物
膜
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职称材料
逆选择分子筛可降低分离费用
5
作者
彭琳
《国外石油化工快报》
2002年第7期2-2,共1页
关键词
逆选择分子筛
降低
分离费用
纳米复合聚合物膜
原文传递
题名
自组装法制备聚合物纳米复合膜的新进展
被引量:
8
1
作者
刘之景
王克逸
朱俊
张凯
机构
中国科学技术大学天文与应用物理系
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
中国科学技术大学高分子科学与工程系
中国科学技术大学化学物理系
出处
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期50-52,共3页
文摘
介绍了自组装法制备聚合物纳米复合膜的几种最新技术 :化学吸附法、分子沉积法、旋涂法 .这些方法操作简单 ,膜的结构稳定性较高 ,利用它们可以制备各种功能化的聚合物纳米复合膜 ,从而实现薄膜的光、电、磁、非线性光学等的功能化 .由此 ,这些方法受到国内外的广泛重视 .
关键词
自组装法
制备
聚合物
纳米
复合
膜
进展
化学吸附法
分子沉积方法
旋涂法
Keywords
self-assembly
polymeric nanocomposite films
chemiadsorption
molecule deposition
spin-coating
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
碳纳米管聚合物复合膜的等离子刻蚀研究
被引量:
1
2
作者
杜招红
曾效舒
机构
南昌大学材料科学与工程学院
南昌大学机电学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1233-1236,共4页
基金
江西省2006年科技厅工业攻关项目(No.S0004)
文摘
本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了观测。结果表明电压为100 V,电流为0.52 A时可以有效地刻蚀掉在制备无衬底碳纳米管膜时附在其上的粘胶剂和聚合物。且刻蚀前后碳纳米管复合膜的电阻有很大变化,从110.2Ω降至8.4Ω。
关键词
等离子刻蚀
碳
纳米
管
聚合物
复合
膜
电阻
Keywords
plasma etching
carbon nanotubes/polymer eomposite films
resistance
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
被引量:
1
3
作者
贺永宁
张雯
崔吾元
崔万照
王东
朱长纯
侯洵
机构
西安交通大学电子与信息工程学院
西安交通大学理学院
中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期361-364,共4页
基金
国家自然科学基金(60876038)
国家预研基金(9140C5304020804)
文摘
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。
关键词
氧化锌半导体
纳米
线/
聚合物
复合
膜
紫外带边发光砷化镓
氮化镓
Keywords
ZnO semiconductor
nanowire/polymer composite film
UV band edge emission GaAs
GaN
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
可降低分离费用的反向选择性分子筛
4
出处
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期66-66,共1页
关键词
分离
反向选择性
分子筛
降低费用
高渗透性
纳米
复合
材料
聚合物
膜
分类号
TQ424.25 [化学工程]
TQ051.893 [化学工程]
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职称材料
题名
逆选择分子筛可降低分离费用
5
作者
彭琳
出处
《国外石油化工快报》
2002年第7期2-2,共1页
关键词
逆选择分子筛
降低
分离费用
纳米复合聚合物膜
分类号
TQ028.8 [化学工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自组装法制备聚合物纳米复合膜的新进展
刘之景
王克逸
朱俊
张凯
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
8
下载PDF
职称材料
2
碳纳米管聚合物复合膜的等离子刻蚀研究
杜招红
曾效舒
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
3
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
贺永宁
张雯
崔吾元
崔万照
王东
朱长纯
侯洵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
4
可降低分离费用的反向选择性分子筛
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
5
逆选择分子筛可降低分离费用
彭琳
《国外石油化工快报》
2002
0
原文传递
已选择
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