铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜的制备与形貌研究

由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅作为基底,采用浸渍镀膜技术成功制备了铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜的结构的影响.结果表明,在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点;同时,在溶液浓度保持不变的情况下,随着反应时间的的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.

多孔硅还原铜纳米复合薄膜的微结构研究

利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜结构的影响.在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点,同时,随着反应时间的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.

化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成

Turner机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释。通过研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,基于对化学刻蚀和纳米结构形成机理的理解提出了刻蚀溶液选择的七条规则。使用这七条规则尝试了三种新的含有Fe3+,VO2+和Ce4+的刻蚀溶液并证实能有效制备多孔硅。这些溶液可以避免由硝酸盐/亚硝酸盐为基础的刻蚀溶液所造成的问题,其优点包括无需活化、诱导时间缩短以及厚度均一膜的可重复性,因而是化学刻蚀工艺中一个重要的进展。

基于纳米多孔硅烷薄膜的适体电化学传感器用于黄曲霉毒素B1的检测

构建了一个基于纳米多孔硅烷薄膜的适体电化学传感器,用于中草药中的黄曲霉毒素B1(AFB1)的灵敏检测。以溶胶-凝胶溶液电沉积再洗脱的方法在活化的玻碳电极表面制备了孔隙均匀,结构稳定的纳米多孔硅烷薄膜,并在此基础上沉积了金纳米粒子,为巯基修饰的适配体提供了大量的活性位点。利用AFB1与适配体的特异性结合能力,将适配体上吸附的信号分子亚甲基蓝(MB)与目标物AFB1形成竞争关系,以此来定量检测AFB1,线性范围在0.01~75µg/L,检出限为5.6 ng/L。方法应用于3种中草药(当归、黄芪、党参)的加标回收检测,结果满意。本传感器的构建为检测AFB1提供了一个新的思路。