X射线纳米分辨立体成像及其在芯片表征中的应用

在芯片制造技术持续发展的背景下,对纳米量级检测的需求也随之急剧增加。然而,传统的光学、电镜和X射线检测技术都存在一定的局限性。本文提出了一种快速、无损、纳米分辨的立体成像技术,该技术基于上海光源纳米三维成像线站(BL18B)的透射X射线显微镜(TXM),结合双目立体视觉原理构建了X射线纳米分辨立体成像系统,通过归一化互相关(NCC)匹配算法获得了标准样品分辨率靶的线条宽度、长度及深度等信息。仿真结果和分辨靶实验所得深度信息与实际深度之间的归一化标准差分别为1.441×10^(-2)和8.11×10^(-4),验证了该方法获取样品深度信息的准确性。同时利用该方法实现了对芯片样品的精确检测,为芯片检测提供了一种新型纳米分辨无损解决方案。