期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
1
作者
吴成昌
肖夏
+1 位作者
赵新为
张生才
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期357-358,362,共3页
在n-Si(4~5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(T...
在n-Si(4~5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
展开更多
关键词
纳米晶体硅量子点
场致发射
冷阴极
弹道电子
下载PDF
职称材料
题名
纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
1
作者
吴成昌
肖夏
赵新为
张生才
机构
天津大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期357-358,362,共3页
基金
天津市自然科学基金资助项目(043612311)
天津市外专局引智项目(2004074)
文摘
在n-Si(4~5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
关键词
纳米晶体硅量子点
场致发射
冷阴极
弹道电子
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
吴成昌
肖夏
赵新为
张生才
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部