基于过渡边界条件的无线充电纳米晶薄层屏蔽磁场计算方法

电动汽车无线充电系统中的纳米晶薄层屏蔽结构在大幅度降低耦合机构的体积与质量的同时,也为复合屏蔽的仿真计算增加了难度。该文为减小纳米晶薄层屏蔽周围磁场计算时间,结合过渡边界条件(TBC)计算方法,分析具有高磁导率的纳米晶薄层屏蔽内磁场分布,为电动汽车无线充电中纳米晶薄层屏蔽复合系统提出了无线充电薄层TBC计算模型。分别搭建无线充电系统的一般计算模型与TBC计算模型,根据趋肤深度调整计算单元,得出精确划分情况下,TBC模型与一般模型计算和实验测量结果相吻合,TBC模型计算时间最多可减小为一般模型的41.7%,大幅度加快无线充电复合屏蔽模型计算速度。