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添加剂对纳米晶铜膜微观结构及纳米压痕性能的影响 被引量:1
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作者 李雪松 杨友 王立民 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期10-12,共3页
采用电刷镀技术制备不同晶粒尺寸的纳米晶铜膜。利用透射电子显微镜分析电刷镀纳米晶铜膜的微观结构,计算晶粒尺寸范围;利用UNMT-1型纳米力学综合测试系统对电刷镀纳米晶铜膜进行室温纳米压痕实验。由实验可知,添加剂对纳米晶铜膜的晶... 采用电刷镀技术制备不同晶粒尺寸的纳米晶铜膜。利用透射电子显微镜分析电刷镀纳米晶铜膜的微观结构,计算晶粒尺寸范围;利用UNMT-1型纳米力学综合测试系统对电刷镀纳米晶铜膜进行室温纳米压痕实验。由实验可知,添加剂对纳米晶铜膜的晶粒尺寸和压痕硬度均有较大的影响。在添加剂45g/L条件下,平均晶粒尺寸最小为32nm左右,压痕硬度为3.26GPa;在添加剂1g/L条件下,平均晶粒尺寸增大到150nm左右,压痕硬度减小为1.72GPa。 展开更多
关键词 纳米晶铜膜 微观结构 纳米压痕
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纳米晶铜膜的原位拉伸研究
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作者 李金许 李成华 +1 位作者 王燕斌 褚武扬 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期355-358,共4页
用磁控溅射在醋酸纤维基片上获得纳米晶(20~30nm)铜膜,在透射电镜下原位拉伸的结果表明,在加载裂尖前存在由局部塑性变形引起的减薄带,微孔洞在减薄带中形核,导致主裂纹扩展的孔洞长大和连接过程也与局部塑性变形有关。
关键词 纳米晶铜膜 原位拉伸 塑性变形 磁控溅射
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磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析 被引量:1
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作者 周冰 邓爱红 +3 位作者 张丽然 周宇璐 李悦 陈燕 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1371-1374,共4页
采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氦的微结构。实验结果... 采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氦的微结构。实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu(111)晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子柬分析(SPBA)技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化. 展开更多
关键词 磁控溅射 纳米晶铜膜 X射线衍射 慢正电子束分析
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交变电流对60nm厚纳米晶铜互连线变形失效行为的影响 被引量:1
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作者 张金钰 赵义 +2 位作者 刘刚 张敬 孙军 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期129-136,共8页
原位观察交变电流作用下纳米晶铜互连线的表面损伤形貌演化过程,重点研究了交变热-机械载荷作用下硅基铜互连线的电致热疲劳性能。结果表明,铜互连线电致热疲劳寿命随着电流密度的增加而减小;载流铜互连线表现出新的变形方式,具有独特... 原位观察交变电流作用下纳米晶铜互连线的表面损伤形貌演化过程,重点研究了交变热-机械载荷作用下硅基铜互连线的电致热疲劳性能。结果表明,铜互连线电致热疲劳寿命随着电流密度的增加而减小;载流铜互连线表现出新的变形方式,具有独特的电致热疲劳行为特征。在低电流密度(j<10 MA/cm^2)条件下,在电致热疲劳中应力控制的晶粒挤出损伤机制起主导作用;而在高电流密度(j>10 MA/cm^2)条件下,交变电流产生的焦耳热效应起主导作用。 展开更多
关键词 金属材料 交变电流 纳米晶铜膜 尺寸效应 疲劳行为
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Nanoindentation tests on single crystal copper thin film with an AFM 被引量:4
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作者 霍德鸿 梁迎春 +1 位作者 程凯 董申 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2003年第4期408-412,共5页
Nanoindentation tests performed in a commercial atomic force microscope have been utilized to directly measure the elastic modulus and the hardness of single crystal copper thin films fabricated by the vacuum vapor de... Nanoindentation tests performed in a commercial atomic force microscope have been utilized to directly measure the elastic modulus and the hardness of single crystal copper thin films fabricated by the vacuum vapor deposition technique. Nanoindentation tests were conducted at various indentation depths to study the effect of indentation depths on the mechanical properties of thin films. The results were interpreted by using the Oliver-Pharr method with which direct observation and measurement of the contact area are not required. The elastic modulus of the single crystal copper film at various indentation depths was determined as (67.0±(6.9) GPa) on average which is in reasonable agreement with the results reported in literature. The indentation hardness constantly increases with decreasing indentation depth, indicating a strong size effect. 展开更多
关键词 NANOINDENTATION atomic force microscope thin film mechanical property HARDNESS elastic modulus
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Wafer-level site-controlled growth of silicon nanowires by Cu pattern dewetting
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作者 Zhishan Yuan Yunfei Chen +3 位作者 Zhonghua Ni Yuelin Wang Hong Yi Tie Li 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期2646-2653,共8页
An approach for the wafer-level synthesis of size- and site-controlled amorphous silicon nanowires (α-SiNWs) is presented in this paper. Microscale Cu pattern arrays are precisely defined on SiO2 films with the hel... An approach for the wafer-level synthesis of size- and site-controlled amorphous silicon nanowires (α-SiNWs) is presented in this paper. Microscale Cu pattern arrays are precisely defined on SiO2 films with the help of photolithography and wet etching. Due to dewetting, Cu atoms shrink to the center of patterns during the annealing process, and react with the SiO2 film to open a diffusion channel for Si atoms to the substrate, α-SiNWs finally grow at the center of Cu patterns, and can be tuned by varying critical factors such as Cu pattern volume, SiO2 thickness, and annealing time. This offers a simple way to synthesize and accurately position a SiNW array on a large area. 展开更多
关键词 amorphous silicon nanowires (α-SiNWs) wafer-leve Cu pattern DEWETTING
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