旋涂辅助连续离子反应法制备CdS纳米晶及其光电性能

为了解决CdS传统制备工艺中连续离子吸附反应(SILAR)法存在的产物颗粒小、敏化层厚度不易提高的问题,将传统SILAR法中的浸泡吸附工艺改为旋涂工艺,采用全新的旋涂辅助连续离子反应法(S-SILR)制备CdS纳米晶颗粒,同时将新旧两种方法制备的CdS纳米晶分别沉积到ZnO纳米棒有序阵列中进行对比研究,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、瞬态光电流等分析手段对产品形貌、结构、光吸收性能和光电转换性能进行了表征和测试。结果表明,利用S-SILR法制备CdS纳米晶光敏层更容易形成对ZnO纳米有序阵列的完全包覆;与传统的浸泡吸附法相比,改进后的旋涂法所得ZnO/CdS复合薄膜在可见光区的光吸收和光电转换性能更加优异。CdS沉积方法的改进对提高太阳电池制备工艺的可操作性及其光电转换性能有一定的指导意义。

有序纳米线/棒/管阵列材料的研究进展

概述了有序纳米线/棒/管阵列的性质、应用及制备方法的研究进展,着重介绍了有序纳米线/棒/管阵列材料的制备方法如气相-液相-固相生长法、气相-固相生长法、模板法和溶剂热法,以及阵列材料在磁、场发射、激光、电化学、光电化学和催化方面所具有的独特性质与应用,展望了该领域的研究前景。

有序金属纳米线/棒/管阵列材料的制备及应用

介绍了制备有序金属纳米线/棒/管的方法,主要有模板法、水热合成法与台阶边缘缀饰法等,并概要介绍了有序金属纳米线/棒/管阵列的性质与应用。

Al和Sb共掺对ZnO有序阵列薄膜的结构和光学性能的影响

采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明:所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]方向择优生长,纳米棒的平均直径和长度分别为27.8nm和1.02μm.Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜的拉曼散射分析表明:相对于未掺杂ZnO薄膜的拉曼振动峰(580cm-1),Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的E1(LO)振动模式存在拉曼位移.当Al和Sb的掺杂量为3.0at%,4.0at%,5.0at%,6.0at%时,Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的拉曼振动峰的位移量分别为3,10,14,12cm-1.E1(LO)振动模式位移是由Al和Sb掺杂ZnO产生的缺陷引起的.室温光致发光结果表明:掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜在545nm处的发光强度减小,在414nm处的发光强度增加.这是由于掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜中Zni缺陷增加,Oi缺陷减少引起的.