铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒的制备及表征

以金属 In 和 SnCl4·5H2O 为主要原料, 加入保护剂 PVP, 利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对 PVP 的用量、溶液的 pH 值、热处理温度等因素对 ITO 纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)、X 射线衍射(XRD)对所合成的 ITO 纳米颗粒进行了表征。XRD 分析说明本文合成了金刚砂型结构的铟锡氧化物纳米颗粒, 并且其晶型结构随着热处理温度的升高而转变为铁锰矿型。

络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末

以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InCl5·H2O和（NH4）2SnCl6，证实反应初始溶液中有络离子存在．研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响．用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征．结果表明：络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小，分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小．

热处理对制备纳米氧化铟锡(ITO)粉末的影响

以共沸蒸馏工艺辅助的共沉淀法制备了纳米氧化铟 氧化锡 (ITO)粉体 ,研究了不同热处理温度对制备粉体的影响。结果表明 ,随着热处理温度的提高 ,粉体发生从四方结构向体心立方结构转变 ,晶粒出现长大现象 ,比表面积变化明显 ,化学组分保持高纯状态。综合比较 ,在 70 0～ 80 0℃进行热处理可以得到尺寸均匀、晶形完整的纳米级粉体。

纳米银自组装多层膜修饰铟锡氧化物(ITO)电极的制备及电化学研究

用3-氨基-三甲氧基硅烷对铟锡氧化物(ITO)导电玻璃进行修饰,以4,4-联吡啶为桥连配体,用层层自组装法制备纳米银多层膜。应用原子力显微镜、紫外可见光谱对其表征。用循环伏安法初步研究了碘离子在电极上的电化学行为。结果表明:电极对碘离子有很好的电化学响应,碘离子在(2×10^(-5)～5×10^(-4))mol/L浓度范围内与氧化峰电流呈良好的线性关系,最低检出限5×10^(-6)mol/L,线性相关性系数:R=0.999 24。

单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成

以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m2／g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状态的.研究 还发现,提高铟锡初始浓度和氢氧化钠过量浓度均有利于小粒径单分散ITO粉末的制备,但 过高的氢氧化钠过量浓度会使粉末出现团聚.

纳米氧化铟锡透明隔热涂料的制备及性能表征

采用在水中分散好的氧化铟锡 (ITO)水浆 ,以及有机硅树脂成膜剂 ,通过加入共溶剂并调整体系pH值 ,制得了性能好的透明隔热涂料。试验结果表明 ,该涂料具有良好的光谱选择性 ,在可见光区具有高的透过性 。

水基溶胶凝胶法制备纳米氧化铟锡粉末

以In和SnCl4·5H2O为原料，聚乙二醇（平均分子量20000）为分散剂，控制溶胶．凝胶过程，在水溶液体系中应用无机物形成了稳定的溶胶凝胶。pH值易于控制，通过溶胶渗析（纯化去除Cl^-）、凝胶转化，得到了稳定的m（In）：m（Sn）=9：1铟锡混合溶胶。将转化后的溶胶在60℃真空干燥8～10h，得到干凝胶。将铟、锡氢氧化物水合凝胶在500℃煅烧，得到纳米ITO粉体。用TG、XRD、TEM、BET等检测技术对工艺过程和氧化铟锡的形貌、粒径进行了表征和分析。结果表明，当煅烧温度在500℃时，In，Sn（OH）3水合凝胶已完全转变成纯立方相In2O3，Sn^4＋离子镶嵌在In2O3的晶格中，SnO2的掺杂并未使粉末形成新的物相。最终得到了单相立方晶系的高纯氧化铟锡（ITO）粉末，颗粒呈球形，比表面积为50m^2/g，粒径尺寸在（15±5）nm。制备方法简化了工艺过程，反应条件温和，有潜在的工业应用价值。

直接电沉积金纳米粒子修饰氧化铟锡电极测定亚硝酸根

以电化学沉积法一步制得了金纳米粒子（GNP）修饰氧化铟锡（ITO）电极，采用紫外、扫描电镜及循环伏安法对GNP／ITO修饰电极进行了表征。结果表明，金纳米粒子在ITO电极表面呈球形，分布均匀无团聚，粒径约30nm。该修饰电极具有良好的电化学性能，在pH2．2的Na2HPO4-柠檬酸缓冲溶液中其氧化峰电流与NO2^-的浓度呈良好的线性关系，线性范围为5×10^-6～5．5×10^-4mol／L，线性回归方程为：i（μA）=1.07＋136C（mmol／L），相关系数r=0．9969；检出限可达1．0×10^-6mol／L。该修饰电极用于废水中NO2^-的测定，结果令人满意。

铟锡氧化物纳米晶的溶胶凝胶法合成

用溶胶凝胶法以SnCl4·5H2 O和铟为原料 ,制备出了铟锡氧化物 (SnO2 ·In2 O3)的二元氧化物纳米粉末 ,并用差热分析 (DTA)、X 射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)分析了氧化物的相组织和形态 .结果表明 ,所得SnO2 ·In2 O3 为纳米晶 ,主要晶型为四方锡石结构 ,微晶颗粒近似球形 ,粒径为 5～ 2 0nm ,In2 O3 为非晶物质 .

制备工艺对铟锡氧化物(ITO)粉末粒度的影响

以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研究了络离子对ITO粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点pH值、前驱体洗涤次数和煅烧温度对ITO粉末粒度的影响;通过XRD和激光粒度仪对所制粉体进行了表征。结果表明:当TCl/TIn=5,沉淀剂为20%的NH4HCO3溶液,终点pH值为6.0～7.0,前驱体的洗涤次数为6次,煅烧温度为700～800℃时所得ITO粉末粒度最佳。

纳米铟锡氧化物粉体的制备及表面改性

在水介质中通过化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)粉体,利用表面处理剂对ITO颗粒进行表面包裹。采用X-射线衍射分析仪、透射电镜、红外光谱分析仪、差热分析仪等分析了该ITO的物相结构及表面形貌。结果表明,该ITO为锡掺杂的三氧化二铟晶体,经表面包裹后,成为粒径均匀、大小约为50nm、无团聚的纳米粒子。经静态沉淀法分析,该纳米粒子在有机物(MMA)中有良好的分散性。

铟锡氧化物纳米粉的显微结构

采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。２５０℃热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态，然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。６００℃热处理１ｈ后粉末粒度为１０～２０ｎｍ，铟锡质量比接近９∶１。铟锡氧化物颗粒接近球形，分散性好。

纳米氧化铟锡掺杂的有机玻璃电导率及复介电常数的研究

采用Aglient 4294A阻抗分析仪对纳米氧化铟锡粉掺杂的有机玻璃在40Hz～110MHz进行测试,并采用五种等效电路图进行拟合,找出最佳电路图,由该电路图计算出此材料的基本电磁参数(如电导率、复介电常数等),并对其影响因素进行简要讨论。

铟锡氧化物纳米网的微波法制备及其光催化特性研究

稀散金属铟主要富集于硫化矿物中,少量存于锡石矿中,提取不易[1].铟广泛作为液晶显示用的透明导电膜ITO(In2O3/SnO2),近年来,随着电子工业的快速发展,铟锡氧化物纳米材料的研究成为人们关注的热点[2].纳米ITO可用作隐身材料、太阳能电极材料和收集器等,具有优异的性能和十分诱人的研究前景.Kim等[3]以In(NO3)3·xH2O和SnCl4·xH2O为原料,用共沉淀法合成了立方结构的纳米ITO粉.但目前使用微波辐射制备铟锡氧化物网状纳米粉体尚未见文献报道.

纳米氧化铟锡表面改性研究

在不同的分散体系中采用机械分散加超声波分散的方法对纳米氧化铟锡(ITO)粒子进行表面处 理,并采用TG-DSC,TEM对改性前后的ITO进行了分析和表征。结果表明:采用乙二醇为分散介质,加入偶 联剂(摩尔分数)KH570 1％或十八醇0.5％后,球磨15h和超声波处理30min可以使纳米ITO得到很好的 分散,纳米ITO表面改性效果好。

纳米氧化铟锡在乙醇相中的分散稳定性研究

采用分光光度法和沉降法研究了剪切速率、分散时间、pH值、分散剂种类和用量对纳米氧化铟锡在乙醇相中的分散稳定性的影响,得到纳米氧化铟锡在乙醇相中稳定分散的条件:选用偶联剂KH570,加入量为纳米氧化铟锡质量的1%,剪切速率为5000 r/min,剪切时间6 h。该研究成果为纳米氧化铟锡的应用提供了依据。

纳米级氧化铟锡复合粉体的制备及其性能

采用化学共沉淀法制备纳米级氧化铟锡复合粉体前驱物,煅烧得到纳米级氧化铟锡(ITO)复合粉体,用TG-DTA,XRD,TEM,ICP-AES,XRF和BET研究了纳米级ITO复合粉体的性能。前驱物铟锡氢氧化物的分解温度为291.5℃,300℃下烧结即可得到立方结构的ITO结晶粉体,Sn嵌入到In2O3晶格中,形成单相的ITO固溶体颗粒。随着温度的升高,ITO固溶体颗粒结晶更完全,晶粒长大。前驱物铟锡氢氧化物分别在600℃,800℃和900℃煅烧4h得到粒度均匀、分散性好、粒径为20nm^30nm的类球形ITO复合粉体。600℃煅烧得到的ITO复合粉体的纯度为99.995%,配比为In2O3:90.045%,SnO2:9.955%,比表面积为50.88m2/g。该粉体烧结活性高,将该粉体用简单的烧结工艺在1000℃烧制的ITO靶材相对理论密度达到99.25%。

水热法无氯制备铟锡氧化物纳米颗粒

以稳定的铟锡乙酰丙酮配合物为原料,采用水热法合成了铟锡氧化物(In_2Sn_(1-x)O_(5-y))纳米颗粒。铟锡乙酰丙酮配合物的使用未引入Cl^-,缩短了合成过程,减少了纳米粒子的团聚,降低了纳米粒子的大小,并提高了纳米粒子的纯度。改性后的纳米粒子加速了In_2Sn_(1-x)O_(5-y)的烧结,当煅烧温度为1400℃时,其相对密度达到了96.4%。

大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展

氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。

煅烧铟锡氢氧化物和氯化钠混合粉末制备铟锡氧化物纳米粉体

铟锡氧化物(ITO)是一种重要的半导体材料,制备团聚轻、颗粒细小的ITO纳米粉体具有重要的意义。在500℃下煅烧铟锡氢氧化物[Sn:In(OH)3]和NaCl的混合粉末2h,然后冷却并经过水洗制备ITO纳米粉体。XRD和TEM研究结果表明,利用NaCl颗粒能有效阻止纳米粉体硬团聚的形成。ITO纳米粉体结晶良好,平均颗粒尺寸为18nm,尺寸分布窄、团聚轻。本工艺为合成无机纳米粉体提供了一种新的方法。