纳米电子/光电子器件概述

本文主要概述了纳米电子/光电子器件的分类,并提出发展纳米电子/光电子器件的几点建议。

“光电子器件工艺与设计”课程思政教学改革探索

“光电子器件工艺与设计”是光电类专业的核心专业课程,该课程的思政建设对于光电子人才的培养至关重要.从“光电子器件工艺与设计”课程的特点出发,总体设计课程思政建设内容和培养目标,深入挖掘与课程专业内容相关的思政元素,探索将思政育人元素有机融入到课程体系的方法.根据课程思政内容改进教学方式,通过增加物理仿真实践内容提高了学生学习的积极性,在传授专业知识的同时可以培养学生的科学精神和正确的价值观,落实立德树人的根本任务,实现全面育人的总目标.

纳米电子／光电子器件概述

主要概述纳米电子／光电子器件的分类，并提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。

二维六方氮化硼的制备及其光电子器件研究进展(特邀)

六方氮化硼是一种具有宽带隙和二维层状结构的代表性材料,拥有优异的物理化学稳定性和高热导率等独特特性。其表面原子级平整、无悬挂键和带电杂质,被公认为是作为其它低维材料衬底的理想选择。另一方面,六方氮化硼对深紫外波段的强吸收和中红外波段的双曲特性,使其成为了制备高性能深紫外和中红外探测器的重要材料。本文首先介绍了六方氮化硼的晶体结构和材料特性,然后将材料制备方法分为“自上而下”和“自下而上”两类,系统阐述了六方氮化硼的制备现状,接着从衬底/介质层/钝化层、隧穿层和吸收层三方面重点回顾了六方氮化硼在光电子器件领域的研究进展。最后,基于六方氮化硼的研究现状,分析了其所面临的一些挑战和机遇。

二维材料可调光电子器件的发展与应用

二维材料在对称性和能带方面灵活可控,其构建的光电子器件具有高度可调性.近些年,二维材料在光电子器件中的应用取得了显著进展.本文介绍了石墨烯、过渡金属硫化物(如MoS_(2),WS_(2))和黑磷等主要二维材料在可调光电子器件中的研究现状及应用潜力.总结探讨了这些材料的独特物理和化学特性,以及其在光探测器、光调制器和光伏电池中的具体应用.介绍了二维材料在电场、应变和光照等外部条件下展现出的高灵敏度、快速响应和优异的可调光电特性,并展示了基于二维材料的光电子器件在信息技术和能源领域的巨大应用潜力.

纳米光电子器件初露端倪

主要概述纳米电子/光电子器件的分类,并提出发展纳米电子/光电子 器件的几点建议.

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.

纳米光通信技术的核心——纳米光电子器件

本文概述了纳米技术在光电领域的应用,并着重介绍国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状。

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。

二维半导体材料纳米电子器件和光电器件

近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。

纳米电子／光电子器件概述

概述纳米电子／光电子器件的类型，提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。

纳米光电子器件在照明、显示技术中的发展和应用

纳米光电子器件及其技术的新兴,受到各界的关注。本文概述了纳米光电子器件的发展现状和发展趋势,重点介绍纳米发光材料和碳纳米管场致发射显示器在照明、显示领域中的发展及应用。

InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展

半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。

类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用

由单层或几层二硫化钼构成的类石墨烯二硫化钼(graphene-like MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维(2D)层状化合物,近年来以其独特的物理、化学性质而成为新兴的研究热点.本文综述了近年来类石墨烯二硫化钼常见的几种制备方法,包括以微机械力剥离、锂离子插层和液相超声法等为主的"自上而下"的剥离法,以及以高温热分解、水热法等为主的"自下而上"的合成法;介绍了其常用的结构表征方法,包括原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等;概述了类石墨烯二硫化钼的紫外-可见(UV-Vis)吸收、荧光发射等基本光物理性质及其相关机理;总结了类石墨烯二硫化钼在二次电池、场效应晶体管、传感器、有机电致发光二极管和电存储等光电子器件领域的应用原理及其研究进展,展望了这类新型二维层状化合物的研究前景.

纳米纸衬底的制备、性能及其在柔性电子器件中的应用

由纳米纤维素制备的纳米纸具有天然可降解、质量轻、柔性好、透明度高、强度高、热稳定性好以及可卷对卷生产等优良特性,被视为柔性电子器件衬底的理想材料之一。近年来,人类社会对电子垃圾引起的环境问题逐渐重视,使得绿色纳米纸衬底成为学术界和工业界的研究热点之一。本文综述了用于柔性电子器件的纳米纸衬底的最新研究进展,详细探讨了纳米纸衬底的制备、性能及其在器件应用方面的研究成果,着重阐述了纳米纸衬底在有机薄膜晶体管、太阳能电池以及有机发光二极管中的应用现状。最后,进一步总结了现阶段纳米纸衬底在器件应用过程中存在的问题,如纳米纸制备效率低、对纳米纸进行性能调控和优化以满足电子器件的要求等,并对未来应用前景进行了展望。

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。

基于碳纳米管的电子器件

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的碳纳米管集成电路。文中在讨论碳纳米管电学性质的基础上 ,主要介绍基于碳纳米管的结。

半导体量子电子和光电子器件

本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效应晶体管、量子点元胞自动机、量子阱红外探测器、埋沟异质结半导体激光器、量子级联激光器等。给出了作者在半导体量子器件物理方面的最新研究结果。