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SH-C_8H_(16)-SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性
1
作者
李英德
《潍坊学院学报》
2003年第2期26-28,共3页
我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH-C8H16-SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性。计算结果显示,在零偏压附近,存在一个电流禁区,随着偏压的增加,分子线的电导呈现出平台特征。该工作将有利于未来的纳米电子学器...
我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH-C8H16-SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性。计算结果显示,在零偏压附近,存在一个电流禁区,随着偏压的增加,分子线的电导呈现出平台特征。该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计。
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关键词
SH—CgHl6—SH分子
金表面
分子线
伏安特性
纳米电子学器件
化学吸附
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职称材料
题名
SH-C_8H_(16)-SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性
1
作者
李英德
机构
潍坊学院物理系
出处
《潍坊学院学报》
2003年第2期26-28,共3页
文摘
我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH-C8H16-SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性。计算结果显示,在零偏压附近,存在一个电流禁区,随着偏压的增加,分子线的电导呈现出平台特征。该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计。
关键词
SH—CgHl6—SH分子
金表面
分子线
伏安特性
纳米电子学器件
化学吸附
Keywords
chemisorption
molecular wire
molecular electronics
分类号
O647.1 [理学—物理化学]
O646.5 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
SH-C_8H_(16)-SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性
李英德
《潍坊学院学报》
2003
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