SH-C_8H_(16)-SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性

我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH-C8H16-SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性。计算结果显示,在零偏压附近,存在一个电流禁区,随着偏压的增加,分子线的电导呈现出平台特征。该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计。