1
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利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒 |
薛清
郁伟中
黄远明
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《物理实验》
北大核心
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2002 |
8
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2
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不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响 |
邓泽超
罗青山
丁学成
褚立志
王英龙
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《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2012 |
0 |
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3
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掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长 |
韦文生
王天民
张春熹
李国华
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《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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4
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外加电场下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长 |
王英龙
张晓龙
邓泽超
秦爱丽
丁学成
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《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2015 |
0 |
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5
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混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响 |
翟小林
王英龙
丁学成
邓泽超
褚立志
傅广生
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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6
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外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究 |
邓泽超
王世俊
丁学成
褚立志
梁伟华
赵亚军
陈金忠
傅广生
王英龙
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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7
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脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广 |
傅广生
丁学成
郭瑞强
翟小林
褚立志
邓泽超
梁伟华
王英龙
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
5
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8
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掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长 |
韦文生
王天民
张春熹
李国华
韩和相
丁琨
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《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
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2003 |
2
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9
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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究 |
施毅
袁晓利
吴军
杨红官
顾书林
韩平
郑有炓
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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10
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界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响 |
袁晓利
施毅
朱建民
顾书林
郑有炓
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《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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11
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硅纳米晶粒的发光特性及其应用 |
袁媛
唐元洪
林良武
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《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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12
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激光能量对沉积纳米Si薄膜晶粒尺寸的影响 |
陈俊领
段国平
黄明举
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《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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13
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硅纳米线的PECVD生长研究 |
徐泓
宋经纬
周祥
吴金姿
陈忠平
马锡英
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《大学物理实验》
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2010 |
0 |
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14
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非单晶硅基薄膜光致发光特性的研究 |
林璇英
林揆训
王洪
石旺舟
姚若河
余楚迎
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《汕头大学学报(自然科学版)》
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1997 |
0 |
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15
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离子注入制备量子光电材料的研究 |
谢二庆
王志光
金运范
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《原子核物理评论》
CAS
CSCD
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1998 |
2
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16
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Investigation of nc-Si:H Films after Ion Irradiation |
Zhu Yabin Wang Zhiguang Ma Yizhun Gou Jie Sheng Yanbin
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《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》
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2009 |
0 |
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