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掺硼纳米硅颗粒的脉冲放电制备及测试分析
被引量:
1
1
作者
张伟
汪炜
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期2947-2952,共6页
以掺硼硅锭(电阻率0.01Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射光谱(ICP-OES)等测试手段对获得的产物进行测试分析,绝大...
以掺硼硅锭(电阻率0.01Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射光谱(ICP-OES)等测试手段对获得的产物进行测试分析,绝大部分纳米硅颗粒尺寸集中在30~60 nm,其硼含量的质量分数为19×10-4%。在此基础上,将制备纳米硅颗粒配制为质量分数为15%的纳米硅浆料,通过丝网印刷在太阳硅片上,经850℃高温烧结后,硅片表面方阻可由100Ω□/降到30Ω□/。
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关键词
掺硼
纳米
硅
颗粒
脉冲放电
纳米硅浆料
方阻
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职称材料
题名
掺硼纳米硅颗粒的脉冲放电制备及测试分析
被引量:
1
1
作者
张伟
汪炜
机构
常州大学机械工程学院
南京航空航天大学机电学院
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期2947-2952,共6页
基金
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB460001)
国家高技术研究发展(863)计划(2012AA050301)
文摘
以掺硼硅锭(电阻率0.01Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射光谱(ICP-OES)等测试手段对获得的产物进行测试分析,绝大部分纳米硅颗粒尺寸集中在30~60 nm,其硼含量的质量分数为19×10-4%。在此基础上,将制备纳米硅颗粒配制为质量分数为15%的纳米硅浆料,通过丝网印刷在太阳硅片上,经850℃高温烧结后,硅片表面方阻可由100Ω□/降到30Ω□/。
关键词
掺硼
纳米
硅
颗粒
脉冲放电
纳米硅浆料
方阻
Keywords
boron doped
silicon nanoparticles
pulsed electrical discharge
nano silicon paste
sheet resistance
分类号
TH145 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺硼纳米硅颗粒的脉冲放电制备及测试分析
张伟
汪炜
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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