高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％下降到8％，平均晶粒尺寸在3．5～10nm。当X_g≥6％时，生成薄膜为非晶硅碳（a-SiC_x：H）薄膜。nc－SiC^x：H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc－SiC_x：H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。

乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ∶Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＧｘ∶Ｈ薄膜的晶化和其它光电性能的影响。Ｘｃ从０．１增加为０．４时，薄膜的晶态率从４５％下降为１０％，平均晶粒尺寸从１０ｎｍ下降为５．５ｎｍ，对应薄膜中的Ｃ含量从０．０３增加为０．１２。当Ｘｃ≥０．５，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ∶Ｈ）薄膜。随着Ｘｃ从０．１增加为０．８，薄膜的暗电导率从８．５×１０－７（Ωｃｍ）－１下降为９×１０－１２（Ωｃｍ）－１，薄膜的光学能隙随Ｘｃ的增加而增加。

光学薄膜材料及器件

O484.4 97042538氧化镁膜=MgO layer[刊,中]/贾正根(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//光电子技术.—1996,16(1).—24-29介绍溅射和丝网印刷法制造的MgO膜的特点以及工艺参数对膜特性的影响。图9表4参5(严寒)O484.4 97042539乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响=Effect of etheneon the crystallzation of nanocrystalline