新型有序纳米碳管阵列的合成、表征及电化学性能

用模板法合成纳米碳管阵列(ordered carbon nanotubes arrays,OCNT)。利用XRD、氮气吸附、电镜、 循环伏安技术对样品的结构和电化学性能进行表征。样品孔结构具有典型的二维六角(p6mm)有序分布,比 表面积高达1 703m2/g,中孔分布集中,最可儿直径3．5nm。OCNT由纳米碳管规整有序排列构成。OCNT具 有很好的电容特性,在高的电压扫描速度下比电容值不发生明显衰减,50mV/s的高电压扫描速度下,比电 容为181．2F/g;高频下仍能保持优异的电容特性,频率1Hz时样品的比电容大约100F/g。OCNT大的孔尺 寸和规整有序的孔结构是其优异电容性能的主要原因。

基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器

一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构，阴极和栅极位于同一基板平面上，并制作在沟槽壁上。发射材料用碳纳米管，用电泳法将碳纳米管移植于沟槽壁，也可以用原位选择生长法直接在沟槽壁长出碳纳米管。可以在沟槽壁阴极一侧排列碳管阵列，也可在两侧壁排列。

碳管阵列有效介电常数的数值模拟

引入平均场方法,计算单根碳管的有效介电常数.然后用On-shell方法计算由碳管组成的二维光子晶体的有效介电常数,与Maxwell-Garnett(MG)方法计算出的结果比较,前者更接近实验数据.

栅控纳米碳管冷阴极X线管

本发明涉及对现有X线管的工作原理结构材料及其供电电路的重大改进。其特征是由纳米碳管膜片作为X线管阴极电子发射体，在该膜片中心的发射面积上设置有纳米碳管阵列；在纳米碳管膜片相对应的位置上设置有栅极片，栅极片是固定在阴极组合体外壳上并与之相互导通，纳米碳管膜片与栅极片及阴极组合体外壳被绝缘垫片所隔离。

纳米碳管阵列场增强因子的计算

采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结果做了修正.结果表明:纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很大.当纳米碳管阵列中碳管间距小于碳管高度时,场增强因子随间距的减小而急剧减小;而当碳管间距显著大于碳管高度时,场增强因子几乎不变.但当考虑阴阳极之间单位面积通过的场发射电流时,可论证当管间距与管高度相若时,能使场发射电流密度最佳(最大).另外,极板间距对场增强因子的影响很小,但是可以通过减小极板间距,来降低纳米碳管作为场发射体的场发射的开启电压,优化纳米碳管的场发射性能.

生长纳米碳管阵列用Cu纳(微)米催化颗粒的制备

以生长纳米碳管阵列用催化剂为应用对象,采用辉光放电等离子体增强氧化还原方法制备纳(微)米Cu催化剂颗粒.采用AFM和SEM对试样表面进行分析,结果表明,当气体流量不变时,温度和氧化时间对颗粒形貌和尺寸有明显的影响.温度过低,不能获得足够的颗粒,温度过高则颗粒聚集长大;400℃为较好的温度条件,氧化5min时颗粒尺寸达到纳米量级.

纳米碳管阵列

在概括纳米碳管阵列特异的场发射效应及在场发射器方面应用前景的基础上,介绍了合成纳米碳管阵列的研究历程以及化学气相沉积法在纳米碳管阵列合成方面的重要意义,就当前纳米碳管阵列的快速合成与低温合成两个发展方向进行了概述,并指出等离子体化学气相沉积法能有效地用于纳米碳管阵列的低温合成。

TiO2纳米碳管阵列--合成、性能和应用

本书主要介绍了高度有序垂直定向的TiO2纳米碳管的构成、性能和多方面应用。自从Gong等第一次报道TiO2纳米碳管阵列的高度有序性，该领域发展非常迅速，很难及时对相关研究工作进行总结。研究者借助一系列合成化学，使得纳米管具有不同的形态学。TiO2纳米管阵列已被证实具有重要的应用价值，如在大电容、太阳能电池、药物洗涤表面、氢气传感器与生物过滤膜等方面得到了大量的应用。

微孔对单壁纳米碳管储氢性能的影响

用巨正则蒙特卡罗分子模拟方法研究了单壁纳米碳管中的微孔即单壁纳米碳管基本孔-内管腔和管间孔对单壁纳米碳管储氢性能的影响.与低温下氮气吸附实验结果的比较发现单壁纳米碳管的内管腔是吸附的主要位置.分析单壁纳米碳管内管腔中吸附势的叠加和利用效率,发现管径为2nm左右时单壁纳米碳管内管腔的储氢容量最高.当单壁纳米碳管阵列的管间距增加时,单壁纳米碳管的管间孔也会成为有效的氢吸附位.