基板法催化生长纳米碳纤维薄膜

以乙炔(C2H2)为碳源,铜溶胶和硫化铜为催化剂前躯体,采用化学气相沉积法(CVD)在玻璃基板上生长纳米碳纤维薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对产物的形貌与结构进行了表征。结果表明:在反应温度为350℃时,制备出了纤维直径为100～200nm,厚度为3～20μm的均匀的纳米碳纤维薄膜;随着反应温度升高或者反应时间的延长,纳米碳纤维薄膜的膜厚增厚。

铜基板法制备纳米碳纤维薄膜的研究

以乙炔(C2H2)作为碳源,采用化学气相沉积法(CVD)在经过草酸溶液腐蚀的铜基板表面制备出纳米碳纤维薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射仪(XRD)对产物进行结构与形貌表征,并对碳纤维薄膜进行其在基板上的附着性测试。结果表明,草酸腐蚀时间、化学气相沉积反应时间的变化等因素对纳米碳纤维薄膜的生长与形貌有一定影响。在反应温度为350℃时,铜基板表面制备出了一层均匀的纳米碳纤维薄膜,纤维直径为300~400 nm,薄膜的厚度为20~30μm。制备的纳米碳纤维薄膜对基板有良好的附着性。

基于聚丙烯腈/苯并噁嗪的柔性碳纳米纤维薄膜的制备及其电化学性能研究

通过将苯并噁嗪、聚丙烯腈(PAN)和乙酰丙酮铁共同静电纺丝的方式制备了柔性良好的碳纳米纤维薄膜。结果表明,引入结构设计的苯并噁嗪可以有效地将N、O、S等杂元素引入碳纳米纤维薄膜,从而有效地提高电极的赝电容特性及电解质对电极的浸润性。并在此基础上,进一步将环境友好且赝电容特性明显的Fe3O4沉积在所得碳纳米纤维薄膜上,最终制备了电化学性能优异的柔性电极材料Fe3O4@BENCNFs,三电极测试结果表明,当电流密度为1 A/g时,其质量比容量高达160.1 F/g。

不同催化剂作用下生长的碳纳米管和碳纳米纤维复合膜的电吸附性能(英文)

采用低压低温气相沉淀法在不同催化剂(Fe和Ni)作用下制备碳纳米管-碳纤维复合薄膜,并研究其电容去离子行为,结果表明:在Ni催化作用下石墨上生长的碳纳米复合薄膜电极的去离子能力比Fe催化作用下生长的碳纳米复合薄膜电极的强;并且碳纳米复合薄膜的电吸附遵循langmuir单层等温吸附。