基板法铜粒子催化定向生长纳米碳纤维阵列

以乙炔(C2H2)为碳源,铜溶胶为催化剂前躯体,采用化学气相沉积法(CVD)在黄铜基板上定向生长纳米碳纤维阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)、X光衍射(XRD)和红外光谱(IR)等手段对产物的形貌、成分进行了表征。结果表明:在反应温度为400～500℃时,制备出了纤维直径为150～200 nm,长度为几到几十个微米的纳米碳纤维阵列;随着反应温度升高或者反应时间的延长,纤维长度增加,负载时间的延长有利于阵列形貌的生成。

铜纳米线的合成及其催化性能

利用多孔氧化铝(AAO)模板经交流电沉积制备得到了铜纳米线阵列,扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分析结果表明:其长度在1~2μm,直径在60~80nm之间。利用制备的铜纳米线催化生长了纳米碳纤维阵列(VACNFs),利用SEM对VACNFs的形貌进行了表征,结果表明,所制备的VACNFs呈现阵列状分布,每根纤维垂直基底直立生长,在纤维末端距离较近的纤维之间相互吸引缠绕形成纤维束。最后分析了纳米碳纤维阵列的生长机制并提出了生长模型。