催化剂含量对球磨退火法制备氮化硼纳米管形貌及产率的影响

以氧化硼、氨气为反应原料,铁粉或镁粉为催化剂,采用球磨退火法制备了氮化硼纳米管,研究铁或镁含量变化对氮化硼纳米管形貌及产率的影响。结果表明:当氧化硼前驱体中不含催化剂时,可获得产率很低、均匀细小的氮化硼纳米管。适量铁可以起到良好的催化作用,退火后生成大量尺寸均匀的氮化硼纳米管。随着铁含量的增加,产物产率降低,形貌从尺寸均匀的氮化硼纳米管变为长短粗细都不均匀的氮化硼纳米管。当氧化硼与铁含量的摩尔比达到1∶1时,产物产率增加,形貌从表面光滑的氮化硼纳米管变为表面垂直生长大量氮化硼纳米片的珊瑚状氮化硼微纳米结构,其直径也明显增加。镁含量变化只对产物尺寸大小、均匀性及产率有所影响,对形貌没有明显影响。氮化硼纳米管的上述形貌和产率变化规律可以用气-液-固生长机理来解释。

真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响

利用真空热退火的方法，研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高，单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈，到650℃后P完全挥发，样品变成h单质，而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一，当退火温度高于550℃，整个纳米孔阵列被完全破坏。

退火温度对纳米TiO_2薄膜微结构的影响

利用XRD、IR、UV-VIS、AFM、XPS等手段,研究了退火温度对溶胶-凝胶法制备的纳米TiO2薄膜微结构和表面形貌的影响.450～600℃退火处理的薄膜呈锐钛矿和金红石型混晶结构,700℃退火后为纯金红石相;水峰的吸收峰消失在300～500℃之间,至500℃有机基团完全消失,薄膜表面主要有C,Ti,O三种元素;改变退火温度,可以使薄膜的禁带宽度在3.26～3.58 eV之间变化,可以在一定范围内,获得不同折射率的TiO2纳米薄膜;薄膜的表面粗糙度(RMS)为2～3 nm.

退火温度对TiO2/ZnO复合纳米棒光学性能的影响

通过两步水热法在氟掺杂SnO2(FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2/ZnO复合纳米棒的表面形貌、微观结构以及光学性能进行了研究。结果表明,当退火温度从400℃逐渐升高至425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得致密、均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时复合纳米棒结晶性能良好且缺陷少;当退火温度高于425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得稀疏,缺陷较多,结晶质量降低。喇曼光谱和光致发光谱测试表明,当退火温度为425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒的紫外发光峰强度高,蓝移明显,激发的紫外光波长达到365.414 nm。

退火温度对ZnO纳米棒紫外探测性能的影响

通过水热法在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备出不同退火温度的ZnO纳米棒,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应曲线和I-V特性曲线对不同退火温度的ZnO纳米棒的表面形貌、微观结构以及紫外探测性能进行深入研究。结果表明,当退火温度从300℃逐渐升高至350℃时,ZnO纳米棒变得致密和均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时纳米棒结晶性能优异且缺陷少;当退火温度高于350℃时,ZnO纳米棒变得稀疏、缺陷较多、结晶质量降低。通过光谱响应曲线和I-V特性曲线得出当退火温度为350℃时,响应度具有最大值为4.651 A/W,光电流为1.508μA。

《先进材料》：高明远小组用火焰燃烧法制备磁性纳米颗粒

最近,胶体、界面与化学热力学院重点实验室高明远课题组在基金委、科技部以及中科院的资助下,在利用前驱体燃烧制备纳米材料方面取得了重要研究进展,成功地制备了具有特殊结构与形貌的纳米材料,如：g-Fe2O3llSiO2双面体球形磁性纳米颗粒及二十六面体g-Fe2O3纳米晶体。

TiO_2纳米管在太阳能电池中的应用新进展

回顾了近年来TiO2纳米管阵列在染料敏化太阳能电池中的应用现状和最新研究成果,综述了影响染料吸附量和电池效率的一些关键因素,包括管几何结构(长度、直径、顶部形态)、晶体结构(无定形、锐钛型、金红石型),以及表面改性、染料浸润敏化时间、温度和先进结构。当考虑所有这些因素时,现在纯纳米管体系太阳能电池的最高效率可以达到4%～5%,一些混合系统可以达到7%左右。还讨论了这两种体系现在存在的主要问题和提升的空间,并概述了今后的改进策略。

纳米多孔氧化铝膜的制备

以草酸为电解液,采用二次阳极氧化法于室温下制备了多孔阳极氧化铝膜,研究了电解液浓度和试样退火处理对膜表面形貌的影响。利用扫描电镜(SEM)对其表面形貌进行表征,并对其微观形貌进行分析。结果表明,草酸浓度在0.2～0.4 mol/L范围内所制备的样品结构符合Keller结构模型,孔洞均匀分布于氧化铝膜表面,纳米孔阵列呈高度有序、紧密堆积的排列,孔径大小一致,约为86 nm,退火处理对膜的形貌没有明显影响。