纳米级氧化物膜析氧阳极的研究

纳米级氧化物膜析氧阳极是一种新材料 ,它具有高的电催化活性和长的使用寿命。用溶胶凝胶法和热分解法制备了Ir -Ti二元阳极。讨论了二元阳极制备的某些影响因素 ,例如原材料的制取 ,热处理温度和铱中间层 ,用扫描电镜观察涂层的晶体结构和表面形貌 ,涂层的表面为无裂缝和纳米级 ,其晶粒尺寸不大于 9.5 8nm 。

湿化学法制备纳米级氧化物粉末及其研究方法

纳米粉体的制备是目前材料学科的热点。作者综述了湿化学法制备纳米级粉末的分类、特点以及研究的主要手段。

纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。

纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境。

用于氯酸盐电解槽的纳米涂层电极新技术

氯酸盐电解槽的阳极大多采用钌铱钛氧化物涂层,近年来,由于国际市场贵金属钌价格上涨,直接影响到电解槽阳极的生产成本。通过改变阳极涂层配方和使用纳米技术,开发了氯酸盐企业需要的氯酸盐电解槽新的阳极涂层,同时建立了质量保证体系。

熔融共混法制备防静电纳米塑料的试验

以纳米级氧化物导电粉作为添加剂,采用熔融共混法制备了一种具有一定防静电性能的聚乙烯塑料.就试验方法和所涉及到的一些问题作了论述和分析.

闪光焊FeCrAl合金管材的接头组织及性能

采用闪光焊对FeCrAl合金进行对接接头焊接,通过扫描电子显微镜及能谱仪等手段研究了焊接接头的显微组织特征、不同区域氧化物颗粒的分布情况及力学性能.结果表明,闪光焊焊接FeCrAl合金所得焊接接头显微组织主要为等轴晶,在焊缝和热影响区氧化物未出现明显聚集及向晶界偏聚的现象,且在晶内和晶界都可以呈现弥散分布的特征;焊接接头抗拉强度值达到594 MPa,为母材强度的90.5%;接头断裂在焊缝区,整体呈现脆性断裂模式;焊缝晶粒的粗化导致焊缝区硬度降低,最终引起焊接接头出现软化.

苹果贮藏保鲜的问题与发展方向

(一)苹果贮藏保鲜中存在的问题 (1)苹果贮藏保鲜多用化学药剂 多菌灵、托布津等化学农药对人、畜有致畸作用,2、4-D中含有极微量的有毒物质对人体的威胁也很大,三唑类有机化合物有一定的致癌性,残留在食品中的二氧化硫能引起严重的过敏反应。因而,化学药剂对于苹果防腐保鲜是有待改进的。 (2)

一种考虑温度的分布式互连线功耗模型

基于集总式电阻-电容树形功耗模型,考虑了非均匀温度分布对互连线电阻的影响,提出了一种新的分布式互连线动态功耗解析模型,解决了集总式模型不能表征非均匀温度变化带来的电阻变化的问题,并计算了一次非理想的激励冲激下整个互连模型消耗的总能量.基于所提出的分布式互连线功耗模型,计算了纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺典型长度互连线的Elmore延时和功耗,发现非均匀温度分布对互连功耗的影响随着互连线长度的增加而增加,单位长度功耗随着CMOS工艺特征尺寸的变化而基本不变.文中所提出的功耗模型可以用来精确估算互连线动态功耗,适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.