用陶瓷制UV射线可通过的半导体

日本东京研究所和日本科学技术公司合作开发了用陶瓷制UV射线可通过的半导体技术。研究人员发现,氧化铝-氧化钙复合物12CaO·7Al_2O_3系由纳米级笼状物构成,这种笼状物可以高浓度地贮存在一般情况下不稳定的阴离子。