科学家利用DNA技术催生新一代纳米级芯片

IBM与美国加州理工学院（California Institute of Technology）的研究人员，正合作利用DNA来将碳纳米管、硅纳米线（nanowires）等微小零组件，组装成比现今微影技术可达到的尺寸小10倍的电路。这种技术并可望催生速度更快、功率更高，但成本却更低也更省电的新一代芯片。

中科院EDA中心自主研发DFM工具为国内芯片企业提供纳米级芯片技术服务

日前，中科院EDA中心陈岚研究员带领的纳米芯片设计方法学研究小组研发的纳米可制造性设计与分析技术（DFM）研究成果开始为国内企业提供服务。

Cadence宣布业内首个DDR4 Design IP解决方案在28纳米级芯片上得到验证

Cadence公司日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY和存储控制器Design IP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。

如何实现纳米级芯片设计的时序收敛

随着芯片规模日益复杂,工艺尺寸日益缩小,时序收敛问题毫无疑问也越来越复杂和无法避免.工艺技术的每次进步都会带来新的问题,没有一个解决方案是一成不变的.

芯片制造进入90纳米时代

各大厂商在90纳米工艺上的动作似乎标志着芯片制造进入了90纳米时代但也意味着芯片制造将面临更多难题

三星开始量产第二代10nm级DDR4内存

三星电子近日宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片。据悉，三星开发的8GB DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30％，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片陕10％，功耗降低15％。

微捷码发表Talus ATPG与Talus ATPGX片上扫描链压缩新产品

芯片设计解决方案供应公司微捷码（Magma）设计自动化公司日前宣布推出了具有片上扫描链压缩功能的Talus ATPG与Talus ATPGX新产品。这些先进的自动测试向量生成（ATPG）产品使设计师能明显改进测试质量，减少产品开发的周转时间并降低纳米级芯片的成本。藉由整合Talus ATPG和Talus ATPGX进入Talus的物理设计环境，微捷码设计自动化公司能够提供唯一真正实现物理相关DFT（Physically Aware DFT^TM）的IC实现流程。

专家预测未来10年十大科技突破

专家预测,未来10年科技将出现十大突破:(1)下一代移动通信技术;(2)下一代网络体系;(3)纳米级芯片技术;(4)中文信息处理技术;(5)人类功能基因组学;(6)

中国未来十大科技突破口

过去10年，移动通信技术完成了由第一代模拟通信技术向第二代数字通信技术的过渡，当前正处于由其巅峰状态向第三代（3G）移动通信技术过渡的进程中。

融合创新助力中国经济实现可持续发展

这些年来，信息技术在提高效率、优化资源方面的作用已经日益显现。我在信息技术领域工作了多年，经历了从PC到网络通信设备到手机终端，直到今天的纳米级芯片，这些设备从物理概念上来说一个比一个小，但是它们在改变人们生活方面，所发挥的影响力却一个比一个大。但若想让它们发挥更大的效能，只有技术上的充分融合，发挥协同效应，才能实现革命性的变革。

专家预测未来10年十大科技突破

未来10年我国最有可能的科技突破是什么？科技部技术预测与国家关键技术选择研究组在《中国技术前瞻报告》中指出，下一代移动通信技术、下一代网络体系、纳米级芯片技术、中文信息处理技术、人类功能基因组学、医药生物技术、生物信息学、蛋白组学、农作物新品种培育技术、纳米材料与纳米技术是未来10年我国最有可能的科技突破。

中国未来十年有可能取得十大科技突破

据报导，下一代移动通信技术、下一代网络体系、纳米级芯片技术、中文信息处理技术、人类功能基因组学、医药生物技术、生物信息学、蛋白组学、农作物新品种培育技术、纳米材料与纳米技术是未来10年中国最有可能取得突破的十大科技领域。其中．生物领域，

车库工厂

电子爱好者们喜欢自己动手做东西。在IEEE Spectrum的“动手”栏目中，我们详细介绍过如何自制焊锡回流焊炉、导电墨水及合成孔径雷达。但是自己动手制作集成电路似乎是不可能的。毕竟，建造一个现代化的工厂极其昂贵，例如，2017年英特尔公司宣布投入70亿美元建造了一家工厂。用于制造7纳米级芯片。但是山姆·泽卢夫（SamZeloof）并没有就此打消这个念头。这个17岁的高中生已经开始在车库中制作芯片，

颠覆性电光椭圆波动理论研究与教学实践

本文从科学视角构筑了电光椭圆波动理论,由质子电子组成椭圆波动,光子在电子中受万有引力约束下做简谐运动逃离电子,此后在真空中做椭圆双曲余弦孤立的波动,波动的振幅发生衰减,圆频率取决于前面的光子逃离电子的圆频率或者是电子跃迁的光子圆频率。从黑体辐射规律和真空零点能与卡西米尔效应进行综合建模确定高端芯片激光衍射光刻原理及宇宙暗物质暗能量的形成机理。