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新型纳米薄膜钪钨阴极的研究
被引量:
2
1
作者
王萍
李季
《真空电子技术》
2009年第3期17-22,共6页
介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。
关键词
纳米
薄膜
钪
钨阴极
纳米级钪钨粉
大电流密度
下载PDF
职称材料
题名
新型纳米薄膜钪钨阴极的研究
被引量:
2
1
作者
王萍
李季
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
2009年第3期17-22,共6页
文摘
介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。
关键词
纳米
薄膜
钪
钨阴极
纳米级钪钨粉
大电流密度
Keywords
Nanocomposite scandia-tungsten
Coated dispenser cathode
High current density
分类号
O462 [理学—电子物理学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
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1
新型纳米薄膜钪钨阴极的研究
王萍
李季
《真空电子技术》
2009
2
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