期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
新型纳米薄膜钪钨阴极的研究 被引量:2
1
作者 王萍 李季 《真空电子技术》 2009年第3期17-22,共6页
介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。
关键词 纳米薄膜钨阴极 纳米级钪钨粉 大电流密度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部