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新型纳米薄膜钪钨阴极的研究 被引量:2
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作者 王萍 李季 《真空电子技术》 2009年第3期17-22,共6页
介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。
关键词 纳米薄膜钪钨阴极 纳米 大电流密度
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