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纳米异向介质的缺陷模(英文)
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作者 冯宇 吴健 +3 位作者 宋建平 钱兴中 杨华 潘艳 《电子器件》 CAS 2008年第1期246-248,共3页
在实际THZ负折射指数物质应用中,形状的改变和现有的光刻技术的精度,对负折射特性造成什么影响研究在实际工程设计中具有重要意义。下面利用有限积分法模拟形状变化和光刻精度产生的缺陷对负折射谐振频率和通带的影响。得出由于谐振环... 在实际THZ负折射指数物质应用中,形状的改变和现有的光刻技术的精度,对负折射特性造成什么影响研究在实际工程设计中具有重要意义。下面利用有限积分法模拟形状变化和光刻精度产生的缺陷对负折射谐振频率和通带的影响。得出由于谐振环之间的耦合,SRR对称破缺影响谐振频率和通带。光刻技术的精度满足THZ负折射指数物质的要求。 展开更多
关键词 纳米负折射指数物质 缺陷模 通带 光刻精度
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