纳米锑掺杂二氧化锡水悬浮液性质的研究

为研制稳定性、分散性良好的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水悬浮液,研究了纳米ATO在水中的稳定、分散行为,讨论了分散剂种类、ATO用量、pH值、分散剂用量对体系稳定性、分散性和流变性的影响。采用沉降实验、Zeta电位仪、激光粒度仪、透射电镜等测试方法对纳米ATO悬浮液的特性进行表征。实验结果表明,选用静电位阻型分散剂聚乙烯亚胺(PEI),ATO用量为8％,分散剂用量8％～10％,pH值>4时,7 d后悬浮液沉降体积分数小于16％,ATO的平均粒径100 nm左右,体系粘度小于2 mPa·s。

硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂处理掺锑二氧化锡纳米粉体

用硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂对掺锑二氧化锡(ATO)纳米粉体进行表面有机化改性处理。通过润湿性、分散稳定性测试研究处理温度、分散介质以及钛酸四丁酯与硬脂酸的量比对改性效果的影响。采用热重分析、透射电镜分析、红外光谱分析、X射线光电子能谱等测试方法对改性后粉体的表面包覆率、形貌、分散状态以及改性机理进行研究。研究结果表明,提高处理温度、适当增加复合改性剂中硬脂酸的量并选用极性弱的有机溶剂可达到比较理想的改性效果;钛酸四丁酯的作用是与粉体粒子表面的羟基以及吸附水反应产生偶联点,如M—O—Ti—OH,这些偶联点易于与羧酸反应;在低温时RCOO-与偶联点的Ti(IV)之间以配合物的形式发生作用,在回流温度下处理时,主要发生酯化反应,使硬脂酸更牢固地嫁接到粉体粒子表面,改性效果更好。

新型锑掺杂二氧化锡纳米颗粒的水热合成

将金属锡和氧化锑溶于硝酸,再与柠檬酸配位形成稳定的溶液,采用水热-热处理工艺制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体,研究锑掺杂浓度和热处理温度对ATO纳米颗粒的晶粒尺寸、晶格参数、比表面积和结晶度的影响。结果表明:水热-热处理工艺以及合成过程中无氯离子的参与都使得制备的ATO纳米粉体颗粒细小,粒度分布窄,分散性好;随着热处理温度的升高,ATO颗粒加速长大;ATO晶体中Sb5+与Sb3+的物质的量比随着锑掺杂量和煅烧温度的变化而变化,导致Sn O2的晶胞体积和导电性变化;Sb元素的掺杂限制了纳米粒子的生长,降低了Sn O2的结晶度。

锑掺杂二氧化锡纳米新型导电材料的制备

介绍了锑掺杂二氧化锡 (ATO)纳米新型导电材料的性能及近年来国内外的研究应用进展 ,论述了其导电机理 ,并叙述了纳米ATO导电粉体和浆料的制备方法。

化学共沉淀法制备镱掺杂二氧化锡纳米粉体

采用化学共沉淀法,以Yb(NO3)3·6H2O和SnCl4·5H2O为原料,氨水为沉淀剂,在掺杂浓度为nSn∶nYb=9∶1的条件下,合成了分散均匀的镱掺杂二氧化锡纳米粉体。利用SEM、XRD、TG-DTA、IR等分析方法对粉体的形貌、物相、结构等进行了表征。实验结果表明,当前驱体在600℃下煅烧3h时,可以获得晶化良好、四方晶相的镱掺杂二氧化锡纳米粉体。

锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒抗静电性能的探讨

介绍了锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒的制备 ;研究了不同锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及其不同混合比对制得抗静电剂性能的影响 ,这种抗静电剂有很好的抗静电性能。

锑掺杂纳米二氧化锡颗粒在乙二醇中的分散稳定性

开发了二次球磨湿法制备锑掺杂纳米二氧化锡(ATO)/乙二醇(EG)稳定体系的新方法;选用硅烷偶联剂KH 570,实现了ATO颗粒在EG溶液中的均匀分散和稳定性控制;研究了分散工艺参数对体系的影响,探讨了ATO颗粒的表面包覆改性机理。研究表明:分散剂KH 570的含量和体系的pH显著影响ATO在EG中的分散稳定性,在KH 570含量为1.5%,体系pH为8.5时,ATO/EG浆料的分散性能最佳。KH 570与ATO颗粒表面羟基发生的化学键结合,提高了颗粒表面的疏水性,改善了ATO颗粒与有机极性溶剂及高聚物之间的亲和力。

锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒抗静电性能的探讨

介绍了锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒的制备,研究了不同锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及不同混合比对抗静电剂性能的影响,得出了用一定锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及混合比制备的抗静电剂有很好的抗静电性能.

锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料的制备与防静电应用

以锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体为研究对象,以直径0.2 mm的氧化锆球作为研磨介质,采用卧式砂磨机对粉体进行湿法球磨,并添加分散剂促进纳米浆料的分散稳定化。通过优化试验获得了小尺寸、高稳定性、高固含量的锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料。将该浆料加到环氧树脂中,添加量为1.5%时,涂层的电阻率为106Ω·cm,可见光透过率为87%。

锑掺杂浓度对二氧化锡纳米微粉的影响

以无机盐为原料,采用共沉淀法制得了掺锑SnO2纳米级微粉.运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和差热分析(DTA)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了掺锑浓度对物相、粉末颗粒度及电阻的影响规律.实验结果表明,低掺杂浓度样品(x≤0.462),Sb原子固溶于四方晶系SnO2中,高掺杂浓度样品(x≥0.519),Sb原子将从固溶体中脱溶并被氧化为Sb2O4相;掺杂Sb可以减小SnO2的晶粒度,在热处理时阻碍 SnO2晶粒长大,掺杂浓度>0.181时,进一步掺杂对粉末粒度没有明显的影响;SnO2粉末电导率随掺锑浓度的增大而提高,掺杂浓度为0.095时粉末电导率达到极大值,当掺杂浓度>0.245时,粉末电阻快速增大.兼顾掺杂浓度对粉末粒度和电阻的影响,合适的掺杂浓度x为0.181～0.230.

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法，先将锑白溶解于酒石酸氢钠饱和溶液中，得到酒石酸锑钠溶液，同时配制一定浓度的锡酸钠溶液；根据ATO纳米粉末的锑掺杂量，将酒石酸锑钠溶液和锡酸钠溶液混合并加入酒石酸氢钠作为配合剂，同时加入双氧水作为氧化剂，用硫酸调节混合溶液的酸度；上述混合溶液在高压釜中反应一定时间，

镱掺杂二氧化锡纳米粉体的制备工艺影响因素

以SnCl4·5H2O和Yb(NO3)3·6H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备了镱掺杂二氧化锡纳米粉体,考察了反应温度、煅烧温度、分散剂的种类对所得纳米镱掺杂二氧化锡粉体的物相、晶粒度和形貌的影响。对粉体的前驱体进行综合热分析(TG-DTA),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对产物的结构和形貌进行表征,得到共沉淀法制备纳米镱掺杂二氧化锡粉体的最佳条件为:反应温度60℃,煅烧温度600℃,用非离子型PEG-600为分散剂。

配合-共沉淀法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)粉

在充分回收含锡阳极泥有价金属的基础上,采用从锡锑二次资源中直接提取的高纯氯锡酸铵和氯氧锑为原料,合成了性能优良的纳米级锑掺杂二氧化锡(ATO)粉。针对液相共沉淀法制备ATO的过程中,锡和锑的水解不同步从而未能实现真正共沉淀掺杂的问题,以(NH4)2SnCl6和Sb4O5Cl2为原料,采用配合共沉淀法,考察了反应过程中的pH、反应温度、掺锑浓度、煅烧温度、前驱体洗涤次数和分散剂种类等对ATO粒度和形貌的影响,确定了最优化条件,即:滴定终点pH=3,反应温度60℃,锑掺杂浓度10%(质量分数),热处理温度600℃,前驱体洗涤次数为6次,采用分散剂c,并进行了实验验证。

纳米二氧化锡导电粉体的制备

以 Sn Cl4· 5 H2 O和 Sb Cl3 为原料 ,采用化学共沉淀的方法制备出纳米二氧化锡导电粉体。运用 TEM和 XRD对粉体进行了表征 ,结果显示 ,掺锑二氧化锡为四方相金红石结构 ,随着煅烧温度的升高 ,晶粒尺寸和平均原始粒径逐渐增加。研究了 p H值、反应温度、m( Sn Cl4·5 H2 O) / m( Sb Cl3 )、煅烧时间和煅烧温度对导电二氧化锡体积电阻率的影响。

锑掺杂氧化锡纳米粉体的水热合成与表征

以SnCl4·5H2O、SbCl3为基本原料,采用水热合成法制得了锑掺杂氧化锡纳米粉体.运用XRD、TEM等分析测试手段研究了粉体的晶相组成、晶粒粒度和晶貌特征,并根据晶格常数研究了锑的掺杂形式.结果表明:在240～300℃的水热条件下,反应2～8 h,可制得结晶良好、分散性好、粒度在3～15 nm、具有四方晶系金红石结构的锑掺杂氧化锡球形颗粒;Sb是以Sb3+的形式进入SnO2晶格中.

锑掺杂氧化锡纳米粉体的制备研究

以五水氯化锡和三氯化锑乙醇溶液为原料制备得到前驱体锑掺杂氢氧化锡胶体沉淀,采用乙酸异戊酯共沸干燥法对前驱体进行干燥;用XRD,TEM,IR,BET等方法对粉体的物相、形貌、分散性和比表面积进行表征。结果表明,乙酸异戊酯干燥所得的锑掺杂氢氧化锡微粉经热处理后得到了团聚少、分散性好、晶体颗粒小、粒度均匀的锑掺杂氧化锡纳米粉体。

纳米锑掺杂氧化锡导电粉体的快速制备及表征

纳米锑掺杂氧化锡(ATO)以其灵敏度高、色浅透明、耐高温耐腐蚀、机械稳定性好等特点在气敏元件、导电抗静电领域、催化领域等得到了广泛的应用.本实验在共沉淀法的基础上采用特殊的组合添加剂,前驱体不需要干燥直接煅烧20 min就可以得到各项性能良好的ATO粉体,采用粒度分析仪、X衍射仪(XRD)、红外光谱仪、透射电镜(TEM)、微欧测量计等对最终粉体的性能进行了表征.结果表明:相比传统共沉淀法,该法具有快速、高效的特点,在合适添加剂作用下所制备的纳米ATO粉体一次粒径为55 nm,体积电阻率为75.93Ω.cm,晶化完整,纯度高.

纳米锑掺杂氧化锡的研究进展

介绍了纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)材料独特的光电机理;系统综述了目前国内外纳米ATO粉体的主要制备方法,包括各制备方法的工艺路线与特点;并对纳米ATO在显示涂层材料、导电抗静电涂料、透明隔热涂料等领域中的应用进行了概括。最后,结合纳米ATO的光电特性,针对纳米ATO材料的制备与应用研究面临的问题提出几点建议。

锑掺杂氧化锡ATO纳米导电粉体的研制

通过设备和工艺的改进,寻求成本低、产率高、比表面积大的工业化锑掺杂氧化锡ATO纳米导电粉体制备方法。即在络合能力强的复合有机酸溶液中加入纯度99.9%以上高纯锡和高纯锑化合物,再滴加硝酸和氨水,进行凝胶化反应和聚合反应,得到棕色透明液体,经过过滤、干燥、热分解和粉碎后,得到纯度达到99.0%以上、粒度小于100纳米、比表面积30m2/g的锑掺杂氧化锡ATO纳米导电粉体,工艺简单、生产周期短、成本低。

纳米导电二氧化钛的研制

采用化学共沉淀的方法在纳米二氧化钛表面包覆SnO2 掺杂Sb2 O5导电层 ,制得纳米导电二氧化钛。讨论了水解 pH值、反应温度、SnO2 的包覆率、m(SnCl4 ·5H2 O) /m(SbCl3)、反应时间和热处理温度对纳米导电二氧化钛体积电阻率的影响。