进入纳米时代的CMOS设计

本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战 ,如 :电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了纳米CMOS器件结构的设计 ,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构 ,包括SOICMOS、双栅和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS ,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限。

后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术

基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管.最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型(电子型)碳纳米管场效应晶体管的研究为基于碳纳米管的CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)技术的腾飞装上了另一个翅膀.特别是这种技术无需掺杂,加上碳纳米管特殊的几何和电子结构使得基于碳纳米管的CMOS技术有望突破传统微电子工艺所面临的一些根本性的困难,为下一步实现基于碳纳米管的纳电子电路的规模集成奠定了基础.