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题名纳电子学的发展
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作者
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第1期1-6,共6页
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文摘
进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力;其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展。此外,还介绍了"后CMOS"器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战。并预计了纳电子未来发展的趋势。
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关键词
纳电子
CMOS
后CMOS
纳米
石墨烯
纳线fet
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Keywords
nanoelectronic
CMOS
beyond CMOS
nanometer
grapheme
nanowire fet
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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