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纳电子学的发展
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作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期1-6,共6页
进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,... 进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力;其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展。此外,还介绍了"后CMOS"器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战。并预计了纳电子未来发展的趋势。 展开更多
关键词 电子 CMOS 后CMOS 石墨烯 纳线fet
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