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新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展
1
作者
顾卫东
李献杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期4-8,共5页
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景。
关键词
HBT
能带
结构
纵向外延层结构
GAINNAS
低功耗
异质结双极晶体管
下载PDF
职称材料
题名
新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展
1
作者
顾卫东
李献杰
机构
河北半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期4-8,共5页
文摘
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景。
关键词
HBT
能带
结构
纵向外延层结构
GAINNAS
低功耗
异质结双极晶体管
Keywords
GaInNAs
low power dissipation
HBT
分类号
TN322.7 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展
顾卫东
李献杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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