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新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展
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作者 顾卫东 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期4-8,共5页
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景。
关键词 HBT 能带结构 纵向外延层结构 GAINNAS 低功耗 异质结双极晶体管
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