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GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质 被引量:3
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作者 张福甲 虎志明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期232-236,共5页
用变分法分别计算了GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱和多量子阱在纵向(垂直于异质结界面的方向)外电场作用下激子的基态能级,讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。
关键词 量子阱 激子 纵向外电场 砷化镓 ALXGA1-XAS
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