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纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型
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作者 沈寅华 李伟华 +1 位作者 叶晖 陈炜 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-18,共5页
论述了纵向对称双硅栅薄膜 MOSFET的等电位近似模型的研究 ,通过对该器件建立泊松方程 ,并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似 ,得到了这种对称双硅栅 MOSFET器件的电流模型 ,并在不同参数下对该模型进行了模拟 ,最终得到 Ids-Vg
关键词 双栅金属氧化物半导体场效应管 等电位近似模型 纵向对称双硅栅薄膜
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