制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．

电流退火Fe76Si7.6B9.5P5C1.9合金薄带的纵向巨磁阻抗效应

有效地调控非晶软磁材料的巨磁阻抗,能使其应用的领域更加广泛。本文研究了在大气环境下电流退火过程中Fe76Si7.6B9.5P5C1.9合金薄带纵向巨磁阻抗的变化规律,发现氧化可以调控样品的巨磁阻抗性能。通过10 min退火,样品磁性能得到明显改善,灵敏度大幅度提高;1 h退火,样品的GMI表现出良好的线性关系。

纵向驱动巨磁阻抗效应的研究进展

对纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)效应的特性、原理及应用技术的研究进行了综述,对学术界存在争议的LDGMI效应和巨磁阻抗(GMI)效应基本物理机制问题进行了评析.认为LDGMI效应和GMI效应的区别在于工作模式不同,而基本物理机制相同,在应用开发中两者各有优缺点,相互可以形成互补关系,而LDGMI效应相比GMI效应具有灵敏度更高、可靠性更高、适应性更灵活等优点,在新型磁敏传感器和新型磁性能测量仪器开发应用中LDGMI效应会发挥独特的优势.LDGMI效应前景光明,值得业界关注.

纵向驱动巨磁阻抗效应的解释

测定了Fe73 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的曲线 .从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 .从临界频率随外磁场的变化 ,解释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 .从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得出 ,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 μ″随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因 .

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了 98MPa应力退火生成的Fe73Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律 ,说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应 ,大于特征频率时是磁阻抗效应 ,且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。

磁偶极作用对铁基纳米晶条带LDGMI效应的影响

研究了多片Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶条带的磁滞回线、纵向巨磁阻抗(Longitudinal Driven Giant Magneto-Impedance,LDGMI)效应及阻抗相位角的变化规律.研究发现,样品各向异性场随纳米晶条带片数线性增加,LDGMI曲线的"平台"宽度也线性展宽,这是相邻纳米晶条带的磁偶极相互作用导致的.同时,发现驱动场大小、频率对样品LDGMI曲线的"平台"宽度有调制作用,其肩宽场随驱动场频率的增加而增大以及随驱动场增强而减小.因此,本工作对多磁芯LDGMI器件的研制具有重要参考价值.