纵向耦合谐振滤波器旁瓣抑制的改进

介绍了一种在石英基片上两端对纵向耦合谐振滤波器阻带抑制的方法.一般纵向耦合谐振器的频率响应有旁瓣较高的缺点,影响其实际应用.分析这些旁瓣形成的原因后,引入了hiccup结构.它改变换能器指条结构分布,并且对指条进行了不同方式的加权.这种结构有利于多方面调节滤波器的结构参数,对其频响进行细微的控制和调整.运用耦合模理论对纵向谐振模式进行了分析,在计算机上这种结构的滤波器特性作了模拟,理论计算表明器件响应中部分旁瓣得到了有效的抑制.实验结果证明了理论分析的准确性与实用性.

梯形谐振式结构与纵向耦合结构相结合的滤波器

为了消除纵向耦合谐振式滤波器高端带外邻近通带处的肩膀,本文提出将滤波器与梯形结构相结合,用来改善其近阻带抑制,给出了理论模拟及实验结果。这些结果都验证了方案的可行性。

平坦通带高频纵向耦合谐振滤波器的研制

应用耦合膜理论,重点研究了纵向耦合谐振滤波器耦合换能器与输入/输出换能器间距对纵向耦合谐振滤波器通带波纹的影响,探讨了制作纵向耦合谐振滤波器中金属铝的干法刻蚀工艺。基于理论模拟得出的结论,文中给出了中心频率为900MHz纵向耦合谐振滤波器频率响应的计算模拟结果和实验测试数据。测得1dB带宽25.9MHz,3dB带宽28.7MHz,阻带抑制达到50dB,插入损耗3.85dB,通带波纹小于0.7dB。实验结果与理论分析相吻合。

一、三模纵向耦合谐振滤波器高频边瓣的改进

传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器在频率响应的高端部分有一个固有的隆起，严重地影响了器件的性能，限制了该器件的应用范围．为了改进器件的性能，利用单端对谐振器的反谐振峰将其作为陷波器用以抑制传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣．首先，利用COM理论，在42°Y-X LiTaO3基片上，分析了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器与之串联的频率特性．然后，优化了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器的结构，并在42°Y-X LiTaO3基片上对改进前后的结构进行了实验．理论和实验结果一致表明，通过改进，传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣得到了有效的抑制．进一步在实验上将两个相同器件级联，获得了接近40dB的高频边瓣抑制，比改进前的器件提高了8～10dB的高端边瓣抑制量．

声表面波陷波器与纵向耦合结构相结合

为了消除声表面波纵向耦合谐振式滤波器高端带外邻近通带处的肩膀,该文提出将纵向耦合谐振式滤波器与声表面波陷波器相结合,用来改善其近阻带抑制。文中给出了理论模拟及实验结果。实验结果与理论模拟基本一致,验证了方案的可行性。

基于COM模型的声表面波滤波器仿真和设计

介绍了基于耦合模(COM)模型的声表面波(SAW)器件的仿真方法,并将这种仿真方法分别运用于模拟简单和复杂SAW器件.在此基础上,进行了SAW滤波器的设计研究:首先设计了一个中心频率与梯形滤波器相同或相近的纵向耦合双模谐振器型滤波器(DMS),然后将梯形滤波器与DMS滤波器进行多种方式的级联,并对级联后的器件进行模拟分析,最后通过比较得到性能较好的高带外抑制RF滤波器.