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伶仃洋低频水流与水沙纵向输运 被引量:5
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作者 任杰 周作付 林卫强 《海洋通报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期8-14,共7页
在分析实测资料(1978~1979)的基础上,运用物质纵向输移模式讨论了伶仃洋河口湾余流的垂向结构,同时,对同步资料进行低通滤波处理,得到垂向低频水流分布.结果表明,两种分析方法对伶仃洋河口环流与水沙输移的解释基本一... 在分析实测资料(1978~1979)的基础上,运用物质纵向输移模式讨论了伶仃洋河口湾余流的垂向结构,同时,对同步资料进行低通滤波处理,得到垂向低频水流分布.结果表明,两种分析方法对伶仃洋河口环流与水沙输移的解释基本一致,东、西两槽均存在明显的垂向环流,平均流、斯托克斯漂移效应、以及垂向净环流是净输沙的主要贡献项。 展开更多
关键词 伶仃洋 垂向环流 低频水流 纵向输运 水沙净 潮流 河口
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MATLAB软件在超晶格纵向输运模拟计算中的应用 被引量:2
2
作者 李国刚 何礼熊 《福建电脑》 2002年第12期42-43,共2页
利用MATLAB强大的科学运算与高质量的图形可视化的功能模拟计算超晶格纵向输运问题,结果与实验数据吻合。给出了源程序,并进行了ode命令的性能比较。
关键词 MATLAB软件 超晶格纵向输运 模拟计算 程序设计 界面设计
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MATLAB在超晶格纵向输运模拟计算中的应用
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作者 李国刚 何礼熊 《信息技术》 2003年第5期1-2,16,共3页
利用MATLAB强大的科学运算能力与高质量的图形可视化功能模拟超计算晶格纵向输运问题 ,结果与实验数据吻合 。
关键词 MATLAB 超晶格 纵向输运 模拟计算 图形可视化功能 矩阵 电子
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模拟计算漂移速度线形对弱耦合超晶格纵向输运的影响
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作者 李国刚 何礼熊 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第3期285-288,共4页
结合宏观和微观模型,分别模拟计算有效漂移速度V(f)线形对GaAs AlAs掺杂弱耦合窄垒和宽垒超晶格纵向输运的影响.U-I关系的第一平台的计算结果显示出与超晶格周期数相同的锯齿分支.计算结果还表明宽垒样品U-I关系的第一平台的宽度随流体... 结合宏观和微观模型,分别模拟计算有效漂移速度V(f)线形对GaAs AlAs掺杂弱耦合窄垒和宽垒超晶格纵向输运的影响.U-I关系的第一平台的计算结果显示出与超晶格周期数相同的锯齿分支.计算结果还表明宽垒样品U-I关系的第一平台的宽度随流体静压(大于临界压力)的增加而明显变小,而窄垒样品U-I关系的第一平台的宽度则不随流体静压(大于临界压力)的增加而变化.计算结果与实验数据基本吻合. 展开更多
关键词 超晶格 弱耦合 漂移速度 线形 纵向输运
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珠江口伶仃洋水沙纵向输移特征分析 被引量:10
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作者 任杰 包芸 林卫强 《热带海洋学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期35-40,共6页
根据实测资料,运用物质纵向输移模式探讨了丰水期伶仃洋河口湾余流的垂向结构。结果表明,东、西两槽均存在由湾口表、中层冲淡水和底层上溯流构成的垂向环流,平均流、斯托克斯漂移效应以及垂向净环流是净输沙的主要贡献项。
关键词 伶仃洋 垂向环流 纵向输运特征 珠江口 斯托克斯漂移效应
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珠江口内伶仃洋河口湾盐度输运机理 被引量:4
6
作者 朱雅敏 陈子燊 《海洋通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期29-34,共6页
为了评价物质入海通量对地区的影响,有必要对入海通量进行统计分析,并对其控制因子进行研究。由于机制分解方法物理概念清晰,采用此方法。从物质平衡入手,分析物质输运机理,描述不同类型河口的特点,并在实测资料的基础上,研究珠江口内... 为了评价物质入海通量对地区的影响,有必要对入海通量进行统计分析,并对其控制因子进行研究。由于机制分解方法物理概念清晰,采用此方法。从物质平衡入手,分析物质输运机理,描述不同类型河口的特点,并在实测资料的基础上,研究珠江口内伶仃洋河口湾的盐度输运,对比各动力因子对盐度贡献项的大小,结果表明盐度纵向净通量主要是由纵向净平流输运控制,斯托克斯漂移和垂向净环流引起的盐度输运也不容忽视。 展开更多
关键词 盐度 平流 斯托克斯漂移 纵向输运
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磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加
7
作者 王志路 孙宝权 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期549-552,共4页
在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电... 在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变. 展开更多
关键词 GaAs/AlAs超晶格 磁场下纵向输运 隧穿电流
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GaAs/AlAs超晶格纵向电流与阱间偏压的动态关系
8
作者 何礼熊 孙宝权 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第1期24-28,共5页
报告并分析了GaAs/AlAs阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在77K温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的I-V曲线.从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关.... 报告并分析了GaAs/AlAs阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在77K温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的I-V曲线.从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关.分析表明,在I-V关系曲线平台区纵向电流与相邻势阱间偏压的关系中,共振隧穿过程与顺序共振隧穿过程的微分电阻值接近相等.本工作从高速动态数据确定了畴边界完成一次跳跃移动的时间,实验样品的这一时间为70±30ns,由此计算出隧穿电流的峰谷比约为2.0. 展开更多
关键词 半导体 超晶格 纵向输运 动态 纵向电流 偏压
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